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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Mini-Circuits TAV1 Transistors
Mini-Circuits TAV1 Transistors
12/01/2023
Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.
CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Nexperia Prodotti integrati a montaggio superficiale SOT323
Nexperia Prodotti integrati a montaggio superficiale SOT323
07/26/2022
Un package a montaggio superficiale con 3 conduttori in plastica, passo di 1,3 mm, 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm.
Nexperia Prodotti in package a montaggio superficiale SOT23
Nexperia Prodotti in package a montaggio superficiale SOT23
07/26/2022
Contenuto in un package in plastica, a montaggio superficiale, a tre terminali, con passo da 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 600 µm QPD2060D
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 600 µm QPD2060D
04/19/2022
Fornisce 28 dBm di potenza di uscita a P1dB, 12 dB di guadagno e aggiunta di potenza del 55% a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1200 µm QPD2060D
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1200 µm QPD2060D
04/19/2022
Fornisce 31 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB ed efficienza aggiunta di potenza del 57% a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1600 µm QPD2160D
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1600 µm QPD2160D
04/19/2022
Fornisce 32,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 10,4 dB e aggiunta di potenza del 63% a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 800 µm QPD2060D
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 800 µm QPD2060D
04/19/2022
Fornisce 29,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB e aggiunta di potenza del 56% a 1 dB.
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 180 um QPD2018D
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 180 um QPD2018D
02/14/2022
Utilizza il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025D
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025D
02/14/2022
Sviluppata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 400 um QPD2040D
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 400 um QPD2040D
02/14/2022
Progettata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.
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