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Tipi di Semiconduttori

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ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03/17/2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale TLR2728YFJ-C

12/11/2025

- ingresso/uscita Rail-to-rail e doppio amplificatore operazionale CMOS ad alta velocità .

ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale LMRx802-LB

11/24/2025

- L'amplificatore operativo presenta un basso livello di rumore, un basso voltaggio di offset di ingresso e una bassa corrente di polarizzazione di ingresso.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT

11/18/2025

- Questo MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA

11/18/2025

- Questo MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.

ROHM Semiconductor Convertitore A/D BD79124MUF-C

11/18/2025

- Convertitore A/D a successiva approssimazione generale, a 12 bit e 8 canali.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FM

11/18/2025

- Piccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.

ROHM Semiconductor Circuiti integrati con convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P10xJ-Z

11/03/2025

- È dotato di un MOSFET di commutazione 730 V integrato e funziona direttamente dalla rete elettrica CA ad alta tensione.

ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

10/17/2025

- I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor Circuiti integrati convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P06xJ-Z

09/26/2025

- Progettato per applicazioni di alimentazione CA-CC isolate compatte ed efficienti.

ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003

08/27/2025

- Progettato per valutare e dimostrare le capacità dell'IC dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003

08/27/2025

- Progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N

08/21/2025

- MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S

08/21/2025

- Un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08/21/2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFH

08/21/2025

- Diodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SM

08/20/2025

- Presenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

08/19/2025

- MOSFET con tensione di drain-source (VDSS) di -40 V e corrente di drain continua (ID) di ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

08/19/2025

- Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.

ROHM Semiconductor BR25G-5 EEPROM SPI BUS

08/19/2025

- Questi dispositivi sono EEPROM seriali da 16Kbit con interfaccia bus SPI e 4 milioni di cicli di scrittura.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Diodi Zener JMZV8.2B da 5 mA

08/19/2025

- I dispositivi sono disponibili in un piccolo package di potenza stampato a iniezione adatto per applicazioni di regolazione di tensione.

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STMicroelectronics EVL-L98GD8E Evaluation Board

07/27/2026

- Evaluates the L98GD8E, a 48V-rated smart power device designed in advanced BCD technology.

Infineon Technologies REF_500W_CYCLO_BDSGAN Evaluation Board

07/27/2026

- Serves as a solar microinverter reference design based on cyclo-converter topology.

Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board

07/27/2026

- Combines the Config Tool GUI to enable easy, fast evaluation of PTX205R NFC IC performance.

Infineon Technologies REF_LEDP_ANI_EXT LITIX™ LED Reference Board

07/27/2026

- Animated exterior lighting reference board for automotive LITIX™ LED platform evaluation.

Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC

07/27/2026

- Features a 24‑bit SPI interface with CRC and driving loads up to a nominal current of 34.5A.

Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board

07/27/2026

- Demonstrates the AC soft-switching capability of CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS) 650V G5.

Microchip Technology AVR32LA32 Curiosity Nano Evaluation Kit

07/27/2026

- Curiosity Nano board for evaluating AVR32LA32 microcontroller applications.

Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP

07/27/2026

- A combination of a PSR and GaN, with up to 65W of power and a low BOM cost.

Infineon Technologies KIT_HB_GaN Half-bridge Daughterboards

07/27/2026

- Integrate different gate drive solutions for CoolGaN™ transistors 650V G5.

Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs

07/27/2026

- Combo solution of SSR + GaN with up to 100W power design.

Infineon Technologies LITIX™ SHIELD_LED_PLATFORM Arduino Shield

07/27/2026

- Arduino shield for evaluating LITIX™ LED platform reference designs.

Renesas Electronics RRW2111x GaN System-in-Packages (SiPs)

07/27/2026

- 700V GaN integrated primary side QR flyback regulators for 25W/45W/65W applications.

Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board

07/27/2026

- Includes with RRW11011, RRW40120, RRW43110, and RRW30120 converters.

Microchip Technology AVR® LA AVR32LA14/20/28/32 Microcontrollers

07/24/2026

- Entry-level AVR LA MCUs for capacitive touch and low-power embedded designs.

Silicon Labs Schede radio modulari SiWG917Y

07/23/2026

- Schede radio Wi-Fi 6 e Bluetooth LE per lo sviluppo IoT wireless.

iC-Haus iC-MU Magnetic Off-Axis Position Encoders

07/22/2026

- Integrated with Hall sensors for two-track scanning and can log an absolute position.

iC-Haus iC-MU Evaluation Kits

07/22/2026

- Designed to evaluate the iC-MU magnetic off-axis position encoders.

Analog Devices Inc. Regolatori step-down LT8686S

07/22/2026

- Regolatori step-down quadrupli con uscite collegabili in serie e prestazioni EMI estremamente basse.

Infineon Technologies Evaluation Kits for EiceDRIVER™ 2EDN Gate Drivers

07/21/2026

- Provides a test platform for dual-channel non-isolated gate driver IC EiceDRIVER™.

Microchip Technology Scheda figlia EV08L40A

07/21/2026

- Scheda figlia a cavo singolo per la valutazione della EEPROM seriale Memory Xplorer.

Infineon Technologies PMIC OPTIREG™ TLF4Dx

07/21/2026

- CI di gestione dell'energia ad alto rendimento e multi-rail per sistemi fino ad ASIL D.

Microchip Technology 25CSM01 EEPROM seriali SPI da 1 Mbit

07/21/2026

- EEPROM SPI da 1 Mbit con ECC, numero di serie e protezione potenziata della scrittura.

Microchip Technology EV34X05A scheda figlia Memory Xplorer SPI

07/21/2026

- SPI scheda figlia per valutazione della memoria EEPROM seriale Xplorer.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07/20/2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

Infineon Technologies Scheda di valutazione DEMO_48V12_400W_GAN

07/20/2026

- Scheda demo buck in configurazione a semiponte, con transistor CoolGaN™ 80V G3.

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