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Ultime novità per Semiconduttori

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Tipi di Semiconduttori

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ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03/17/2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale LMRx802-LB

11/24/2025

- L'amplificatore operativo presenta un basso livello di rumore, un basso voltaggio di offset di ingresso e una bassa corrente di polarizzazione di ingresso.

ROHM Semiconductor Circuiti integrati con convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P10xJ-Z

11/03/2025

- È dotato di un MOSFET di commutazione 730 V integrato e funziona direttamente dalla rete elettrica CA ad alta tensione.

ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

10/17/2025

- I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor Circuiti integrati convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P06xJ-Z

09/26/2025

- Progettato per applicazioni di alimentazione CA-CC isolate compatte ed efficienti.

ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003

08/27/2025

- Progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003

08/27/2025

- Progettato per valutare e dimostrare le capacità dell'IC dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N

08/21/2025

- MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFH

08/21/2025

- Diodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S

08/21/2025

- Un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08/21/2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SM

08/20/2025

- Presenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60 V MOSFET di potenza a canale P

08/19/2025

- Un VDSS -60 V e un ID ±36 A di grado per il settore automobilistico MOSFET che è certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor BR25G-5 EEPROM SPI BUS

08/19/2025

- Questi dispositivi sono EEPROM seriali da 16Kbit con interfaccia bus SPI e 4 milioni di cicli di scrittura.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Diodi Zener JMZV8.2B da 5 mA

08/19/2025

- I dispositivi sono disponibili in un piccolo package di potenza stampato a iniezione adatto per applicazioni di regolazione di tensione.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

08/19/2025

- MOSFET con tensione di drain-source (VDSS) di -40 V e corrente di drain continua (ID) di ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

08/19/2025

- Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA da 100 V a canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 100 V e ID nominale di ±40 A, con certificazione AEC-Q101.

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Filtra per:

Analog Devices Inc. TMC2262-EVKIT Driver Evaluation Kit

07/02/2026

- Provides easy evaluation of the TMC2262 while also providing full control over all its features.

Cirque GlidePoint® Circle Trackpad Development Kits

07/02/2026

- Gets users up to speed with GlidePoint Circle Trackpads powered by Cirque Gen6 ASICs.

Analog Devices Inc. TMC2262 Smart Stepper Motor Driver

07/02/2026

- Stepper motor driver IC with step & direction interface, SPI, and extensive diagnostic capabilities.

Analog Devices Inc. MAX33049EEVKIT Evaluation Kit

07/02/2026

- A fully assembled and tested board that demonstrates the functionality of the MAX33049E.

NXP Semiconductors MCXW236B-EXP Add-On Board

07/02/2026

- This add-on board enables connectivity to a wide range of MCU and MPU FRDM boards.

Analog Devices Inc. MAX33047EEVKIT Evaluation Kit

07/02/2026

- A fully assembled and tested board that demonstrates the functionality of the MAX33047E/MAX33048E.

Analog Devices Inc. Interruttore SPDT differenziale non riflettente ADRF5062

07/01/2026

- Questo interruttore opera da 100 MHz a 13 GHz con una perdita di inserzione inferiore a 1,0 dB.

Analog Devices Inc. Interruttore SPDT differenziale non riflettente ADRF5063

07/01/2026

- Questo interruttore opera da 9 kHz a 13 GHz con una perdita di inserzione inferiore a 0,9 dB.

Analog Devices Inc. Scheda di valutazione EVAL-ADT7604-AZ

07/01/2026

- Valuta l'ADT7604, un sistema a 20 canali per la misurazione termica e il rilevamento delle perdite nei data center.

Texas Instruments TRF0108SEP/SP Evaluation Modules

07/01/2026

- RF amplifier EVMs for differential-to-single-ended signal conversion up to 12GHz.

Texas Instruments TPS54202x Step-Down Converters

06/30/2026

- 2A synchronous buck converters with EMI-reducing spread spectrum.

Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).