Ultime novità per MOSFET

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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08/21/2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

08/19/2025

- MOSFET con tensione di drain-source (VDSS) di -40 V e corrente di drain continua (ID) di ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

08/19/2025

- Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA da 100 V a canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 100 V e ID nominale di ±40 A, con certificazione AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60 V MOSFET di potenza a canale P

08/19/2025

- Un VDSS -60 V e un ID ±36 A di grado per il settore automobilistico MOSFET che è certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A MOSFET di potenza a canale P

08/06/2025

- Questo MOSFET è un MOSFET di potenza di qualità automobilistica, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RQ3P270BLFRA

08/04/2025

- MOSFET per il settore automobilistico con certificazione AEC-Q101 nel package HSMT8AG.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RxL120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET per il settore automobilistico, certificati AEC-Q101 per ADAS, infotainment, illuminazione e carrozzeria.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RxP120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET con certificazione AEC-Q101 di qualità automobilistica, ideali per applicazioni per il settore automobilistico.

ROHM Semiconductor Automotive 40V/60V MOSFET a bassa tensione

07/18/2025

- Combina alte prestazioni con un'affidabilità comprovata per applicazioni veicolari impegnative.

ROHM Semiconductor MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

06/30/2025

- Caratterizzati da bassa resistenza e commutazione rapida, sono ideali per gli azionamenti dei motori.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza per automotive da 40 A & 80 A

06/16/2025

- Presentano una bassa resistenza e sono ideali per applicazioni ADAS, automobilistiche e di illuminazione.

ROHM Semiconductor MOSFET per piccoli segnali a canale P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compatto e ad alte prestazioni progettato per applicazioni di commutazione a bassa tensione.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04CBKFRA P-Ch

03/13/2025

- Qualificato AEC-Q101 per applicazioni per il settore automobilistico, inclusi infotainment, illuminazione, ADAS e carrozzeria.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza P-Ch RH7G04CBJFRA

03/13/2025

- Certificato AEC-Q101 per applicazioni per il settore automobilistico, inclusi infotainment, illuminazione, ADAS e carrozzeria.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1N04BBH N-Ch

03/12/2025

- Offre una tensione di drain voltage di 80 V con bassa resistenza di conduzione in un package TO263AB ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RS7

01/16/2025

- Progettati per le prestazioni nei motori elettrici, nelle applicazioni di commutazione e nei convertitori CC/CC.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RD3G08CBLHRB

08/01/2024

- 40 V, 80 A, testato al 100% per valanga, conforme alla qualifica AEC-Q101 e conforme alla direttiva RoHS.

ROHM Semiconductor MOSFET di segnale piccolo 60 V 310 mA N-Ch BSS138WAHZG

06/20/2024

- Dispone di varie caratteristiche per ottimizzare le prestazioni e l'affidabilità.

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onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03/13/2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03/05/2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

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