Ultime novità per MOSFET

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STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

07/22/2024

- 800 V, protetto da Zener, testato al 100% contro le valanghe e ideale per convertitori flyback e illuminazione a LED.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

12/01/2023

- I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET F8 a canale N sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione di package completa da 30 V a 150 V.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilizza la tecnologia MDmesh K6, sfruttando 20 anni di esperienza nella tecnologia a supergiunzione.

STMicroelectronics MOSFET di potenza SH63N65DM6AG

08/18/2023

- MOSFET di potenza con DM6 MDmesh a canale N di grado automobilistico che offre tensione di blocco di 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET a canale N da 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Il dispositivo utilizza la tecnologia STripFET F8 di ST con una struttura gate trench migliorata.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6

01/25/2023

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione con protezione Zener e valanga al 100%.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N da 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione progettati utilizzando la recente tecnologia MDmesh K6.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STL325N4LF8AG

06/24/2022

- Utilizza la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura trench gate migliorata.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STripFET F8 a canale N STL320N4LF8

06/21/2022

- Prodotto con la tecnologia trench MOSFET STripFET F8.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9

05/27/2022

- Per tensione media/alta con RDS(on) molto bassa per area accoppiato a un diodo a recupero rapido.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9

05/25/2022

- Progettati per MOSFET di media/alta tensione con RDS(on) molto bassa per area.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6

05/04/2022

- Presenta eccellente RDS(on) x area e di un basso Qg, consentendo velocità di commutazione elevate e basse perdite.

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10/21/2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5

10/17/2025

- Ideale per i convertitori DC-DC ad alta efficienza, è disponibile in un package SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Il dispositivo ha un basso RDS(on) e una bassa soglia del gate ed è disponibile con un fianco bagnabile.

onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P

10/14/2025

- Disponibile in un package con un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89.

IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class

10/08/2025

- Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.

onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione

10/06/2025

- MOSFET a canale N singolo in 40 V e 80 V con prestazioni migliorate e efficienza del sistema potenziata .

Infineon Technologies MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V

10/02/2025

- Offrono soluzioni su misura per una conversione di potenza efficiente in unità di azionamento, alimentazione e utensili da giardinaggio.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N

09/30/2025

- Transistori ad alta prestazione canale N progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

09/29/2025

- Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.

Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N

09/09/2025

- Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.

onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N

09/08/2025

- Robusti MOSFET di potenza a canale N da 20 V e 890 mA ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.

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