Ultime novità per Semiconduttori discreti

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

Filtri applicati:

Produttore = Micro Commercial Components (MCC) Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06/30/2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04/16/2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02/12/2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02/12/2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02/12/2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02/07/2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01/02/2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12/30/2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12/30/2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200 V IGBT con arresto di campo a trench

11/28/2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET MCTL2D0N10YHR a canale N 100 V

11/25/2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11/22/2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Diodi ESD a capacità ultra bassa

11/15/2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) 150W TVS Diodes

11/04/2024

- Protects from overvoltage in a low-profile package with an 8.5V to 90V range.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET di potenza Super Junction a canale N da 600 V

10/04/2024

- Presentano bassa resistenza in conduzione, bassa perdita di conduzione e commutazione graduale con diodo a recupero inverso rapido.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET di potenza Super-Junction a canale N MCU1K4N95SH

10/03/2024

- Presentano una bassa carica gate-to-drain, riducendo le perdite di conduzione e amplificando l’efficienza complessiva.

Micro Commercial Components (MCC) Dispositivi di protezione ESD automobilistici ESDULX

09/27/2024

- Progettati per una singola linea di dati o di alimentazione, offrono prestazioni eccezionali per le applicazioni moderne.

Micro Commercial Components (MCC) Diodo TVS SM6S24AHE3

09/18/2024

- Progettato per la protezione costante da sovratensioni in un package DO-218AB-2 compatto.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET a canale N MCGL2D1N03YL

09/04/2024

- MOSFET di potenza da 30 V, progettato per offrire buone prestazioni termiche con basse perdite di potenza.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SICW0x a canale N SiC da 1.200 V

09/03/2024

- Amplifica le prestazioni in package versatili TO-247-4, TO-247-4L e TO-247AB.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET al carburo di silicio (SiC) SICWx

09/03/2024

- MOSFET SiC 650 V con capacità di commutazione ad alta velocità e sono disponibili in package TO-247.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET a canale N da 600 V

09/03/2024

- La tecnologia Super-Junction (SJ) presenta un basso RDS (on) e un diodo a recupero rapido integrato.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET MCP2D6N10Y a canale N 100 V

08/28/2024

- MOSFET a canale N da 100 V progettato per commutazione ad alta potenza .

Micro Commercial Components (MCC) Diodi ESD 3,3 V

08/27/2024

- Proteggono fino a otto linee I/O ad alta velocità con package SMD versatili.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET MCG50P03B a canale P da 30 V

08/19/2024

- Progettato per applicazioni con limitazioni di spazio che richiedono prestazioni affidabili.

Visualizzazione: 1 - 25 di 107

Filtra per:

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio

02/03/2026

- Offre efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali per le applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

01/20/2026

- HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP

01/20/2026

- Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

01/19/2026

- HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

01/19/2026

- I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

Littelfuse Diodi ad alta affidabilità SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA

01/13/2026

- Proteggono le interfacce I/O, il bus VCC e altri circuiti in applicazioni di avionica, aeronautica e eVTOL.

Littelfuse Diodi TVS SP432x-01WTG

01/08/2026

- Forniscono una capacità elettrica ultra bassa, bidirezionale e un alto livello di protezione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

12/19/2025

- Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

12/04/2025

- Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V

12/01/2025

- Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Bourns Diodi soppressori di tensione transitoria SMLJ-R

11/24/2025

- Progettati per la protezione contro le sovratensioni e le scariche elettrostatiche (ESD) in un package a chip compatto in formato DO-214AB (SMC).

Visualizzazione: 1 - 25 di 1223

Tipi di Semiconduttori discreti

Filtra per:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza