onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
11/19/2025
11/19/2025
Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.
onsemi IGBT Field Stop IV a canale N AFGBG70T65SQDC
10/13/2025
10/13/2025
Il dispositivo offre prestazioni ottimali con bassi livelli di perdita di conduzione e commutazione.
onsemi IGBT AFGH4L60T120RWx-STD Field Stop VII a canale N
10/13/2025
10/13/2025
Il dispositivo offre buone prestazioni, con bassa tensione in stato attivo e bassi livelli di perdita di commutazione.
onsemi IGBT per il settore automobilistico AFGHxL40T
06/12/2024
06/12/2024
Qualificato AEC-Q101 e utilizza una robusta struttura Field Stop VII Trench.
onsemi IGBT HV-HE EcoSPARK® 2 FGB5065G2-F085
06/04/2024
06/04/2024
650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.
onsemi Pompe di calore
03/01/2024
03/01/2024
La pompa di calore costituisce una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile.
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A
03/01/2024
03/01/2024
IGBT field-stop di 4a generazione che utilizza una tecnologia innovativa.
onsemi IGBT FGY4LxxT120SWD a canale N 1.200 V
02/07/2024
02/07/2024
I dispositivi utilizzano l’innovativa tecnologia IGBT field stop di 7a generazione e il diodo Gen7.
onsemi IGBT FGHL60T120RWD discreto 1200 V 60 A
11/29/2023
11/29/2023
La tecnologia IGBT avanzata di 7a generazione è alloggiata in un package TO247 3-lead.
onsemi IGBT FGHL40T120RWD discreto 1200 V 40 A
11/29/2023
11/29/2023
Utilizza la tecnologia IGBT di 7a generazione ed è alloggiato in un package TO247 3-lead.
onsemi IGBT AFGHxL25T a canale N singolo da 1.200 V 25 A
11/22/2023
11/22/2023
Questi dispositivi presentano una struttura trench Field Stop VII robusta ed economica.
onsemi IGBT FGY140T120SWD a discreto rapido 1200 V 140 A
11/13/2023
11/13/2023
Dotato dell’avanzata tecnologia IGBT di 7a generazione.
onsemi IGBT FGH4L50T65SQD ad alta velocità 650 V 50 A
10/13/2023
10/13/2023
Il dispositivo utilizza l’innovativa tecnologia IGBT field stop in questa serie di IGBT di quarta generazione.
onsemi IGBT a media velocità con arresto di campo 650 VFGH4L50T65MQDC50
08/15/2023
08/15/2023
Utilizza la tecnologia IGBT con arresto di campo di 4a generazione e tecnologia a diodo SCHOTTKY SiC 1.5.
onsemi IGBT FGY75T120SWD
04/08/2023
04/08/2023
Integra una nuova tecnologia IGBT field stop di 7a generazione in un package a 3 conduttori TO247.
onsemi IGBT Field Stop di 4a generazione a media velocità FGH4L75T65MQDC50
04/08/2023
04/08/2023
Offre prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione.
onsemi IGBT FGY100T120RWD
04/08/2023
04/08/2023
Combinano la nuova tecnologia IGBT field stop di 7a generazione in un package a 3 conduttori TO247.
onsemi IGBT a trincea con arresto di campo FGHL50T65MQDTx
07/22/2022
07/22/2022
La tecnologia degli IGBT di 4a generazione a media velocità è abbinata a un diodo a corrente nominale completa.
onsemi FGH4L40Tx 1200V/40A IGBT di potenza con Field Stop
05/05/2022
05/05/2022
IGBT basati sulla tecnologia Field Stop per commutazione ad alta efficienza in applicazioni di potenza impegnative.
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Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V
12/01/2025
12/01/2025
Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
11/19/2025
11/19/2025
Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.
onsemi IGBT AFGH4L60T120RWx-STD Field Stop VII a canale N
10/13/2025
10/13/2025
Il dispositivo offre buone prestazioni, con bassa tensione in stato attivo e bassi livelli di perdita di commutazione.
onsemi IGBT Field Stop IV a canale N AFGBG70T65SQDC
10/13/2025
10/13/2025
Il dispositivo offre prestazioni ottimali con bassi livelli di perdita di conduzione e commutazione.
STMicroelectronics IGBT serie IH2 1600V STGWA30IH160DF2
05/22/2025
05/22/2025
Creato implementando un'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop.
ROHM Semiconductor IGBT Trench con interruzione del campo RGE
01/15/2025
01/15/2025
Presentano una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore e bassi livelli di perdita di commutazione.
STMicroelectronics IGBT ACEPACK SMIT STGSH50M120D con diodo
12/24/2024
12/24/2024
Combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte.
ROHM Semiconductor IGBT Field Stop trench RGA80Tx 1.200 V
10/17/2024
10/17/2024
Presentano bassa commutazione e perdita di conduzione e sono ideali per compressori elettrici e riscaldatori HV.
STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Sviluppato utilizzando un’avanzata struttura trench-gate field stop.
STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGWA30M65DF2AG
09/12/2024
09/12/2024
Progettato utilizzando una struttura trench-gate field stop proprietaria avanzata.
IXYS IGBT XPT Gen5
07/25/2024
07/25/2024
Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.
Infineon Technologies Dispositivi discreti IGBT EDT2 per il settore automobilistico
07/19/2024
07/19/2024
Tecnologia IGBT da 750 V che migliora l'efficienza di energia per applicazioni di trasmissione nel settore automobilistico.
STMicroelectronics IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG
07/03/2024
07/03/2024
1.200 V, 40 A, bassa perdita, offre bassa resistenza termica ed è disponibile in un package con cavi lunghi TO-247.
onsemi IGBT per il settore automobilistico AFGHxL40T
06/12/2024
06/12/2024
Qualificato AEC-Q101 e utilizza una robusta struttura Field Stop VII Trench.
onsemi IGBT HV-HE EcoSPARK® 2 FGB5065G2-F085
06/04/2024
06/04/2024
650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
04/24/2024
04/24/2024
Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
04/12/2024
04/12/2024
Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A
03/01/2024
03/01/2024
IGBT field-stop di 4a generazione che utilizza una tecnologia innovativa.
onsemi Pompe di calore
03/01/2024
03/01/2024
La pompa di calore costituisce una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile.
onsemi IGBT FGY4LxxT120SWD a canale N 1.200 V
02/07/2024
02/07/2024
I dispositivi utilizzano l’innovativa tecnologia IGBT field stop di 7a generazione e il diodo Gen7.
Bourns Soluzioni di elettrificazione
12/20/2023
12/20/2023
Trasformatori, bobine di arresto, resistori e altri prodotti progettati per i sistemi utilizzati nell’elettrificazione.
onsemi IGBT FGHL40T120RWD discreto 1200 V 40 A
11/29/2023
11/29/2023
Utilizza la tecnologia IGBT di 7a generazione ed è alloggiato in un package TO247 3-lead.
onsemi IGBT FGHL60T120RWD discreto 1200 V 60 A
11/29/2023
11/29/2023
La tecnologia IGBT avanzata di 7a generazione è alloggiata in un package TO247 3-lead.
onsemi IGBT AFGHxL25T a canale N singolo da 1.200 V 25 A
11/22/2023
11/22/2023
Questi dispositivi presentano una struttura trench Field Stop VII robusta ed economica.
onsemi IGBT FGY140T120SWD a discreto rapido 1200 V 140 A
11/13/2023
11/13/2023
Dotato dell’avanzata tecnologia IGBT di 7a generazione.
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