Ultime novità per Transistor

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Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10/21/2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Diodes Incorporated Transistori bipolari PNP DXTP80x

09/18/2025

- I transistori bipolari PNP offrono un fattore di forma piccolo, con un package PowerDI 3333-8 termicamente efficiente.

Diodes Incorporated Transistori bipolari NPN DXTN80x

09/17/2025

- Offrono un package PowerDI 3333-8 di fattore di forma piccolo ed efficiente dal punto di vista termico, per prodotti ad alta densità.

Diodes Incorporated Transistori DXTN69060C a 60 V NPN a VCE(SAT) ultra basso

11/14/2024

- Dispone di una struttura proprietaria per ottenere prestazioni VCE(SAT) ultra-basse.

Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch

10/01/2024

- Offre una bassa resistenza in un package di piccole dimensioni termicamente efficiente.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch

08/01/2024

- MOSFET da 20 V a canale N progettato per ridurre al minimo il RDS(ON), disponibile in un package X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated MOSFET di potenza a canale N DMWSH120Hx 1.200 V

06/24/2024

- Progettato per minimizzare la resistenza in stato attivo e mantenere eccellenti prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch

05/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e tensione di soglia del gate, mantenendo al contempo le prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated Transistor di potenza BC53-16PAWQ 80 V PNP di potenza media

05/01/2024

- Disponibile in un package compatto DFN2020-3 il cui ingombro è inferiore del 50% rispetto a un package SOT-23.

Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG

04/01/2024

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P

01/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e capacità di ingresso, mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated MOSFET di potenza SiC a Canale-N DMWS120H100SM4 1200 V

06/02/2023

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e mantenere prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH46M7SFVWQ

03/30/2023

- MOSFET qualificato AEC-Q101 con bassa RDS (ON) che garantisce perdite minime allo stato di accensione.

Diodes Incorporated Transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD

03/21/2023

- I dispositivi sono qualificati AEC-Q101, con capacità PPAP e prodotti in stabilimenti certificati IATF16949.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UV

03/06/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN3732UFB4

01/24/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH15H017LPSWQ

01/18/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH41M2SPSQ

01/17/2023

- MOSFET qualificati AEC-Q101 con bassa RDS(ON) che garantisce perdite di stato di on minime.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0LT

01/04/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UVA

01/04/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccezionali.

Diodes Incorporated Transistor a valanga a bassa tensione FMMT411FDBWQ

11/23/2022

- Un transistor bipolare planare al silicio progettato per funzionare in modalità valanga.

Diodes Incorporated MOSFET in modalità di potenziamento per il settore automobilistico DMTH8001STLWQ

05/11/2022

- MOSFET in modalità di potenziamento a canale N da 80 V, 270 A qualificati secondo AEC-Q101 in un package PowerDI®1012-8 (TOLL).

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

01/20/2026

- HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

01/19/2026

- HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

01/19/2026

- I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

12/19/2025

- Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

12/04/2025

- Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V

12/01/2025

- Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V

11/20/2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

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