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ROHM Semiconductor HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x
ROHM Semiconductor HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x
01/10/2025
Progettati per applicazioni ad alte prestazioni di conversione di potenza.
ROHM Semiconductor CI stadio di potenza HEMT GaN Nano CAP™ 650 V
ROHM Semiconductor CI stadio di potenza HEMT GaN Nano CAP™ 650 V
07/25/2023
Progettato per sistemi elettronica esigenti, unisce alta potenza densità e efficienza.
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Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU
Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU
03/20/2026
BDS in nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 110 mΩ normalmente disattivato in un compatto package TOLT.
Infineon Technologies Interruttori bidirezionali CoolGaN™ a media tensione
Infineon Technologies Interruttori bidirezionali CoolGaN™ a media tensione
03/17/2026
Questi dispositivi sono ideali come interruttori di disconnessione della batteria in varie applicazioni.
Qorvo HEMT GaN/SiC da 300W QPD2560L
Qorvo HEMT GaN/SiC da 300W QPD2560L
03/09/2026
Progettato per applicazioni esigenti in banda L, opera in un intervallo di frequenza compreso tra 1,0 GHz e 1,5 GHz.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02/26/2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A
01/20/2026
HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A
01/19/2026
HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso
01/19/2026
I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
10/28/2025
Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V
Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V
07/03/2025
Sono dispositivi e-mode normalmente spenti che offrono prestazioni superiori e una resistenza in stato attivo molto bassa.
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40 V, 1,2 mΩ o 12 mΩ, transistor ad alta mobilità elettronica bidirezionali in nitruro di gallio (GaN) (HEMT).
Renesas Electronics FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px
Renesas Electronics FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px
07/01/2025
Questi FET sono disponibili in package TOLT, TO247 e TOLL e utilizzano la piattaforma Gen IV Plus SuperGaN®.
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V
Infineon Technologies Transistori di potenza CoolGaN™ G5 da 700 V
05/02/2025
Progettati per funzionare ad alte frequenze con efficienza superiore, consentendo una commutazione ultraveloce.
Nexperia FET GaN bidirezionale GANB8R0-040CBA
Nexperia FET GaN bidirezionale GANB8R0-040CBA
04/14/2025
FET HEMT GaN bidirezionale da 40 V, 8,0 mΩ alloggiato in un compatto package WLCSP da 1,7 mm x 1,7 mm.
Infineon Technologies Transistori G3 CoolGaN™
Infineon Technologies Transistori G3 CoolGaN™
04/10/2025
progettati per offrire prestazioni superiori in applicazioni che richiedono elevata densità di potenza.
ROHM Semiconductor HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x
ROHM Semiconductor HEMT GaN da 650V in modalità di accrescimento GNP2x
01/10/2025
Progettati per applicazioni ad alte prestazioni di conversione di potenza.
Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V
Infineon Technologies Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V
12/20/2024
Utilizza la tecnologia dei transistor al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza per la conversione di potenza.
MACOM GaN on SiC Transistors
MACOM GaN on SiC Transistors
11/26/2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power. 
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