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Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF
Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF
09/29/2025
Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.
Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N
Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N
09/09/2025
Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.
Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ
Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ
08/27/2025
FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.
Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ
Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ
08/27/2025
FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.
Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ
Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ
08/19/2025
FET a canale P da 30 V in un package in plastica SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.
Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ
Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ
08/19/2025
FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.
Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ
Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ
08/19/2025
FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.
Nexperia MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx
Nexperia MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx
04/14/2025
MOSFET da 60 V e 100 V progettati per la gestione dell'energia ad alta efficienza in varie applicazioni.
Nexperia FET a canale N in modalità di miglioramento NX5020x
Nexperia FET a canale N in modalità di miglioramento NX5020x
04/01/2025
I dispositivi hanno una tensione di soglia molto bassa e una commutazione molto veloce grazie alla tecnologia MOSFET Trench.
Nexperia MOSFET di potenza specifici per applicazioni
Nexperia MOSFET di potenza specifici per applicazioni
01/21/2025
Combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range.
Nexperia ASFET CCPAK per hot-swap e avvio progressivo
Nexperia ASFET CCPAK per hot-swap e avvio progressivo
01/08/2025
Offers a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on) in a single device.
Nexperia MOSFET a canale N BUK7J2R4-80M
Nexperia MOSFET a canale N BUK7J2R4-80M
08/30/2024
Basato sulla tecnologia trench 14 a gate diviso a basso valore ohmico e alloggiato in un package LFPAK56E.
Nexperia MOSFET SiC a canale N NSF0x0120
Nexperia MOSFET SiC a canale N NSF0x0120
07/01/2024
Offers superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package.
Nexperia MOSFET a canale N NextPower PSMNxRx-80YSF
Nexperia MOSFET a canale N NextPower PSMNxRx-80YSF
06/24/2024
MOSFET con gate drive di livello standard 80 V con basso Qrr per una maggiore efficienza e minori picchi.
Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002AK
Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002AK
04/04/2024
Small AEC-Q101-qualified SMD plastic packages using Trench MOSFET technology.
Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N BSS138AK
Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N BSS138AK
04/04/2024
AEC-Q101-qualified N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small SMD packages.
Nexperia ASFET a canale N PSMN047-100NSE
Nexperia ASFET a canale N PSMN047-100NSE
04/04/2024
100 V, 53 mΩ ASFET combina SOA avanzato in un ingombro compatto 2 mm x 2 mm,
Nexperia MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC
Nexperia MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC
02/28/2024
Alloggiato in package LFPAK56 salvaspazio, ideali per applicazioni di controllo di motori CC brushless.  
Nexperia ASFET a canale N PSMN071-100NSE
Nexperia ASFET a canale N PSMN071-100NSE
02/28/2024
Progettati per la sostituzione di relè, la gestione degli spunti e le applicazioni di gestione della batteria.
Nexperia MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N e BUK7Y3R1-80M
Nexperia MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N e BUK7Y3R1-80M
02/23/2024
Progettati e qualificati per soddisfare i requisiti AEC-Q101, offrendo elevate prestazioni e resistenza.
Nexperia MOSFET a canale N PSMN025
Nexperia MOSFET a canale N PSMN025
05/19/2023
Doppio MOSFET a canale N di livello standard alloggiato in un package LFPAK56D (Dual Power-SO8).
Nexperia MOSFET a canale N PSMN028
Nexperia MOSFET a canale N PSMN028
05/19/2023
MOSFET a canale N doppio di livello standard alloggiato in un package LFPAK56D (Dual Power-SO8).
Nexperia MOSFET a canale N PSMN1R9 e PSMN2R3
Nexperia MOSFET a canale N PSMN1R9 e PSMN2R3
02/27/2023
Progettati per prestazioni e affidabilità elevate.
Nexperia Prodotti package a montaggio superficiale SOT8015
Nexperia Prodotti package a montaggio superficiale SOT8015
07/26/2022
Offre un package di piccole dimensioni in plastica, senza piombo, estremamente sottile con flange saldabili lateralmente (SWF).
Nexperia Prodotti in package a montaggio superficiale SOT23
Nexperia Prodotti in package a montaggio superficiale SOT23
07/26/2022
Contenuto in un package in plastica, a montaggio superficiale, a tre terminali, con passo da 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.
Visualizzazione: 1 - 25 di 32

    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
    onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
    12/26/2025
    Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
    Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
    Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
    12/23/2025
    Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
    onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
    onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
    12/19/2025
    Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.
    onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
    onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
    11/25/2025
    Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.
    onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
    onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
    11/25/2025
    Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
    11/20/2025
    Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.
    onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
    onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
    11/20/2025
    Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
    11/19/2025
    MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
    11/19/2025
    MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.
    Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
    Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
    10/31/2025
    Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.
    Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
    Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
    10/31/2025
    Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.
    Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
    Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
    10/21/2025
    Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.
    Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5
    Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5
    10/17/2025
    Ideale per i convertitori DC-DC ad alta efficienza, è disponibile in un package SOP Advance (N).
    ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
    ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
    10/16/2025
    MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L
    onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L
    10/14/2025
    Il dispositivo ha un basso RDS(on) e una bassa soglia del gate ed è disponibile con un fianco bagnabile.
    onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P
    onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P
    10/14/2025
    Disponibile in un package con un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89.
    IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class
    IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class
    10/08/2025
    Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.
    onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione
    onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione
    10/06/2025
    MOSFET a canale N singolo in 40 V e 80 V con prestazioni migliorate e efficienza del sistema potenziata .
    Infineon Technologies MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V
    Infineon Technologies MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V
    10/02/2025
    Offrono soluzioni su misura per una conversione di potenza efficiente in unità di azionamento, alimentazione e utensili da giardinaggio.
    Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N
    Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N
    09/30/2025
    Transistori ad alta prestazione canale N progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
    Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF
    Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF
    09/29/2025
    Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.
    Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N
    Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N
    09/09/2025
    Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.
    onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N
    onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N
    09/08/2025
    Robusti MOSFET di potenza a canale N da 20 V e 890 mA ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
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