Ultime novità per MOSFET

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Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

09/29/2025

- Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.

Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N

09/09/2025

- Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08/27/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08/27/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08/19/2025

- FET a canale P da 30 V in un package in plastica SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08/19/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08/19/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx

04/14/2025

- MOSFET da 60 V e 100 V progettati per la gestione dell'energia ad alta efficienza in varie applicazioni.

Nexperia FET a canale N in modalità di miglioramento NX5020x

04/01/2025

- I dispositivi hanno una tensione di soglia molto bassa e una commutazione molto veloce grazie alla tecnologia MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET di potenza specifici per applicazioni

01/21/2025

- Combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range.

Nexperia ASFET CCPAK per hot-swap e avvio progressivo

01/08/2025

- Offers a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on) in a single device.

Nexperia MOSFET a canale N BUK7J2R4-80M

08/30/2024

- Basato sulla tecnologia trench 14 a gate diviso a basso valore ohmico e alloggiato in un package LFPAK56E.

Nexperia MOSFET SiC a canale N NSF0x0120

07/01/2024

- Offers superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package.

Nexperia MOSFET a canale N NextPower PSMNxRx-80YSF

06/24/2024

- MOSFET con gate drive di livello standard 80 V con basso Qrr per una maggiore efficienza e minori picchi.

Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002AK

04/04/2024

- Piccoli contenitori in plastica SMD conformi a AEC-Q101 che utilizzano la tecnologia MOSFET trench.

Nexperia MOSFET di tipo trench a canale N BSS138AK

04/04/2024

- Transistori a effetto campo (FET) a canale N conformi a AEC-Q101 in modalità enhancement e in piccoli contenitori SMD.

Nexperia ASFET a canale N PSMN047-100NSE

04/04/2024

- L'ASFET da 100 V e 53 mΩ combina un potenziato SOA in un ingombro compatto di 2 mm x 2 mm,

Nexperia ASFET a canale N PSMN071-100NSE

02/28/2024

- Progettati per la sostituzione di relè, la gestione degli spunti e le applicazioni di gestione della batteria.

Nexperia MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC

02/28/2024

- Alloggiato in package LFPAK56 salvaspazio, ideali per applicazioni di controllo di motori CC brushless.

Nexperia MOSFET a canale N BUK7Y1R0-40N e BUK7Y3R1-80M

02/23/2024

- Progettati e qualificati per soddisfare i requisiti AEC-Q101, offrendo elevate prestazioni e resistenza.

Nexperia MOSFET a canale N PSMN028

05/19/2023

- MOSFET a canale N doppio di livello standard alloggiato in un package LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET a canale N PSMN025

05/19/2023

- Doppio MOSFET a canale N di livello standard alloggiato in un package LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET a canale N PSMN1R9 e PSMN2R3

02/27/2023

- Progettati per prestazioni e affidabilità elevate.

Nexperia Prodotti package a montaggio superficiale SOT8015

07/26/2022

- Offre un package di piccole dimensioni in plastica, senza piombo, estremamente sottile con flange saldabili lateralmente (SWF).

Nexperia Prodotti in package a montaggio superficiale SOT23

07/26/2022

- Contenuto in un package in plastica, a montaggio superficiale, a tre terminali, con passo da 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.

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onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03/13/2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03/05/2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

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