Ultime novità per MOSFET

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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08/21/2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60 V MOSFET di potenza a canale P

08/19/2025

- Un VDSS -60 V e un ID ±36 A di grado per il settore automobilistico MOSFET che è certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA da 100 V a canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 100 V e ID nominale di ±40 A, con certificazione AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

08/19/2025

- Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

08/19/2025

- MOSFET con tensione di drain-source (VDSS) di -40 V e corrente di drain continua (ID) di ±4,0 A.

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A MOSFET di potenza a canale P

08/06/2025

- Questo MOSFET è un MOSFET di potenza di qualità automobilistica, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RQ3P270BLFRA

08/04/2025

- MOSFET per il settore automobilistico con certificazione AEC-Q101 nel package HSMT8AG.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RxP120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET con certificazione AEC-Q101 di qualità automobilistica, ideali per applicazioni per il settore automobilistico.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RxL120BLFRA

07/22/2025

- MOSFET per il settore automobilistico, certificati AEC-Q101 per ADAS, infotainment, illuminazione e carrozzeria.

ROHM Semiconductor MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

06/30/2025

- Caratterizzati da bassa resistenza e commutazione rapida, sono ideali per gli azionamenti dei motori.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza per automotive da 40 A & 80 A

06/16/2025

- Presentano una bassa resistenza e sono ideali per applicazioni ADAS, automobilistiche e di illuminazione.

ROHM Semiconductor MOSFET per piccoli segnali a canale P RV7E035AT

06/04/2025

- MOSFET compatto e ad alte prestazioni progettato per applicazioni di commutazione a bassa tensione.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza P-Ch RH7G04CBJFRA

03/13/2025

- Certificato AEC-Q101 per applicazioni per il settore automobilistico, inclusi infotainment, illuminazione, ADAS e carrozzeria.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04CBKFRA P-Ch

03/13/2025

- Qualificato AEC-Q101 per applicazioni per il settore automobilistico, inclusi infotainment, illuminazione, ADAS e carrozzeria.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1N04BBH N-Ch

03/12/2025

- Offre una tensione di drain voltage di 80 V con bassa resistenza di conduzione in un package TO263AB ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RS7

01/16/2025

- Progettati per le prestazioni nei motori elettrici, nelle applicazioni di commutazione e nei convertitori CC/CC.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RD3G08CBLHRB

08/01/2024

- 40 V, 80 A, testato al 100% per valanga, conforme alla qualifica AEC-Q101 e conforme alla direttiva RoHS.

ROHM Semiconductor MOSFET di segnale piccolo 60 V 310 mA N-Ch BSS138WAHZG

06/20/2024

- Dispone di varie caratteristiche per ottimizzare le prestazioni e l'affidabilità.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RQ3xFRATCB

06/11/2024

- MOSFET qualificati AEC-Q101, in un piccolo package ad alta potenza da 3,3mm x 3,3 mm

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10/21/2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5

10/17/2025

- Ideale per i convertitori DC-DC ad alta efficienza, è disponibile in un package SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Il dispositivo ha un basso RDS(on) e una bassa soglia del gate ed è disponibile con un fianco bagnabile.

onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P

10/14/2025

- Disponibile in un package con un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89.

IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class

10/08/2025

- Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.

onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione

10/06/2025

- MOSFET a canale N singolo in 40 V e 80 V con prestazioni migliorate e efficienza del sistema potenziata .

Infineon Technologies MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V

10/02/2025

- Offrono soluzioni su misura per una conversione di potenza efficiente in unità di azionamento, alimentazione e utensili da giardinaggio.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N

09/30/2025

- Transistori ad alta prestazione canale N progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

09/29/2025

- Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.

Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N

09/09/2025

- Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.

onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N

09/08/2025

- Robusti MOSFET di potenza a canale N da 20 V e 890 mA ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.

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