onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12/04/2025
12/04/2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V
08/08/2025
08/08/2025
Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1
05/22/2025
05/22/2025
Presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL032N065M3S
02/20/2025
02/20/2025
Progettato per applicazioni a commutazione rapida offre prestazioni affidabile.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1
02/20/2025
02/20/2025
Offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V.
onsemi MOSFET SiC a canale N NTH4L018N075SC1
08/14/2024
08/14/2024
MOSFET M2 EliteSiC a bassa resistenza ON e 750 V, disponibile in un package compattoTO247-4L.
onsemi MOSFET EliteSiC NTBG023N065M3S 23 mΩ
08/14/2024
08/14/2024
Offre una tecnologia planare M3S per applicazioni a commutazione rapida in un package D2PAK-7L.
onsemi MOSFET SiC NTH4L023N065M3S
08/06/2024
08/06/2024
Offrono una tensione nominale di blocco dj 650 V, una capacità di uscita di 153 pF e un package TO-247-4L.
onsemi MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) 650 V
05/29/2024
05/29/2024
Tecnologia che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
onsemi Pompe di calore
03/01/2024
03/01/2024
La pompa di calore costituisce una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile.
onsemi MOSFET EliteSiC NVHL060N065SC1
02/28/2024
02/28/2024
MOSFET 650 V a canale N singolo, 60 mΩ (tip.) e 47 A dal design compatto ed efficiente.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVHL015N065SC1
02/28/2024
02/28/2024
Offre alta efficienza, frequenza di funzionamento più rapida e maggiore densità di potenza.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL025N065SC1
02/23/2024
02/23/2024
MOSFET 650 V, 25 mΩ EliteSiC che offrono prestazioni di commutazione superiori.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL045N065SC1
02/21/2024
02/21/2024
Presentano la tecnologia EliteSiC e offrono prestazioni di commutazione superiori.
onsemi MOSFET SIC per il settore automotive EliteSiC NVHL070N120M3S
01/30/2024
01/30/2024
MOSFET SIC planare M3S 1200 V ottimizzato per applicazioni a commutazione rapida.
onsemi FET in carburo di silicio (SiC) UF4SC120023B7S G4
01/09/2024
01/09/2024
FET SiC G4 da 1200 V, 23 mΩ basati su una configurazione circuitale "cascode" unica nel suo genere.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL075N065SC1
11/13/2023
11/13/2023
Dispositivi ad alte prestazioni con caratteristiche eccezionali.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L095N065SC1
11/13/2023
11/13/2023
Presentano una tecnologia avanzata per migliori prestazioni di commutazione e affidabilità.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG070N120M3S
09/19/2023
09/19/2023
MOSFET EliteSiC planare M3S 1200 V progettato per applicazioni a commutazione rapida.
onsemi Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC
05/09/2023
05/09/2023
Portafoglio completo di driver di porta e MOSFET EliteSiC che, una volta accoppiati, migliorano le prestazioni termiche.
onsemi EliteSiC
03/15/2023
03/15/2023
Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVBG025N065SC1
03/10/2023
03/10/2023
Forniscono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTHL075N065SC1
03/10/2023
03/10/2023
Offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
onsemi MOSFET EliteSiC da 1700 V NTH4L028N170M1
02/06/2023
02/06/2023
Fornisce prestazioni affidabili e ad alta efficienza per l'energia e le applicazioni di azionamento industriale.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L015N065SC1
01/11/2023
01/11/2023
Forniscono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
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Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive
12/19/2025
12/19/2025
Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12/04/2025
12/04/2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V
11/20/2025
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V
10/17/2025
10/17/2025
I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V
10/09/2025
10/09/2025
Offrono prestazioni termiche migliorate, maggiore densità di potenza e maggiore affidabilità.
Microchip Technology MOSFET SIC di 1.200 V
09/25/2025
09/25/2025
I MOSFET offrono un'alta efficienza in una soluzione più leggera e compatta con velocità di commutazione elevata.
IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx
09/19/2025
09/19/2025
Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].
IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V
08/27/2025
08/27/2025
Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N
08/21/2025
08/21/2025
MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.
onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V
08/08/2025
08/08/2025
Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC canale N SCT40xKWA
07/14/2025
07/14/2025
Caratteristiche: 1200 V VDS, bassa resistenza allo stato attivo, elevata velocità di commutazione e tempi di recupero rapidi.
Littelfuse MOSFET di potenza SiC IXSJxN120R1 da 1.200 V
06/23/2025
06/23/2025
Dispositivi ad alte prestazioni progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
Infineon Technologies MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2
06/03/2025
06/03/2025
MOSFET qualificati per l'uso in ambito automobilistico e industriale con una resistenza massima drain-source di 78mΩ.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1
05/22/2025
05/22/2025
Presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed MOSFET in carburo di silicio da 1.700 V
04/17/2025
04/17/2025
Offre una maggiore commutazione, efficienza di sistema e densità di potenza per la conversione di potenza di nuova generazione.
IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7
03/06/2025
03/06/2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7
03/06/2025
03/06/2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1
02/20/2025
02/20/2025
Offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL032N065M3S
02/20/2025
02/20/2025
Progettato per applicazioni a commutazione rapida offre prestazioni affidabile.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02/18/2025
02/18/2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV
02/18/2025
02/18/2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV
02/18/2025
02/18/2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
SemiQ Dispositivi discreti MOSFET SiC GEN3 1.200 V
01/02/2025
01/02/2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09/06/2024
09/06/2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
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