Ultime novità per MOSFET

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Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10/21/2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch

10/01/2024

- Offre una bassa resistenza in un package di piccole dimensioni termicamente efficiente.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch

08/01/2024

- MOSFET da 20 V a canale N progettato per ridurre al minimo il RDS(ON), disponibile in un package X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch

05/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e tensione di soglia del gate, mantenendo al contempo le prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG

04/01/2024

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P

01/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e capacità di ingresso, mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH46M7SFVWQ

03/30/2023

- MOSFET qualificato AEC-Q101 con bassa RDS (ON) che garantisce perdite minime allo stato di accensione.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UV

03/06/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN3732UFB4

01/24/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH15H017LPSWQ

01/18/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH41M2SPSQ

01/17/2023

- MOSFET qualificati AEC-Q101 con bassa RDS(ON) che garantisce perdite di stato di on minime.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0LT

01/04/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UVA

01/04/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccezionali.

Diodes Incorporated MOSFET in modalità di potenziamento per il settore automobilistico DMTH8001STLWQ

05/11/2022

- MOSFET in modalità di potenziamento a canale N da 80 V, 270 A qualificati secondo AEC-Q101 in un package PowerDI®1012-8 (TOLL).

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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04/14/2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03/13/2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03/05/2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

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