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Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
10/31/2025
Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
10/31/2025
Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.
Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
10/21/2025
Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.
Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch
Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch
10/01/2024
Offre una bassa resistenza in un package di piccole dimensioni termicamente efficiente.
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch
08/01/2024
MOSFET da 20 V a canale N progettato per ridurre al minimo il RDS(ON), disponibile in un package X2-DFN0806-3.
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch
05/01/2024
Offrono bassa resistenza di conduzione e tensione di soglia del gate, mantenendo al contempo le prestazioni di commutazione.
Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG
Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG
04/01/2024
Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori.
Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P
Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P
01/01/2024
Offrono bassa resistenza di conduzione e capacità di ingresso, mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori.
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH46M7SFVWQ
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH46M7SFVWQ
03/30/2023
MOSFET qualificato AEC-Q101 con bassa RDS (ON) che garantisce perdite minime allo stato di accensione.
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UV
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UV
03/06/2023
Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN3732UFB4
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN3732UFB4
01/24/2023
Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH15H017LPSWQ
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH15H017LPSWQ
01/18/2023
Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH41M2SPSQ
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH41M2SPSQ
01/17/2023
MOSFET qualificati AEC-Q101 con bassa RDS(ON) che garantisce perdite di stato di on minime.
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0LT
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0LT
01/04/2023
Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UVA
Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UVA
01/04/2023
Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccezionali.
Diodes Incorporated MOSFET in modalità di potenziamento per il settore automobilistico DMTH8001STLWQ
Diodes Incorporated MOSFET in modalità di potenziamento per il settore automobilistico DMTH8001STLWQ
05/11/2022
MOSFET in modalità di potenziamento a canale N da 80 V, 270 A qualificati secondo AEC-Q101 in un package PowerDI®1012-8 (TOLL).
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Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
03/17/2026
These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)].
onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL
03/13/2026
Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V
03/05/2026
Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
02/19/2026
Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
IXYS MOSFET di potenza X4-Class
IXYS MOSFET di potenza X4-Class
02/02/2026
Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
12/19/2025
Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
11/25/2025
Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085
11/25/2025
Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL
11/20/2025
Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL
11/20/2025
Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
11/19/2025
MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL
11/19/2025
MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.
Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E
10/31/2025
Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW
10/31/2025
Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.
Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3
10/21/2025
Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.
Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5
Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5
10/17/2025
Ideale per i convertitori DC-DC ad alta efficienza, è disponibile in un package SOP Advance (N).
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
10/16/2025
MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.
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