Ultime novità per Transistor

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Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

09/29/2025

- Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.

Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N

09/09/2025

- Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08/27/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08/27/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia Transistori bipolari a giunzione (BJT) MJPEx

08/26/2025

- Il package CFP15B offre un'alternativa compatta ed economica alla serie MJD nel package DPAK.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08/19/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08/19/2025

- FET a canale P da 30 V in un package in plastica SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08/19/2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT

07/03/2025

- 40 V, 1,2 mΩ o 12 mΩ, transistor ad alta mobilità elettronica bidirezionali in nitruro di gallio (GaN) (HEMT).

Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V

07/03/2025

- Sono dispositivi e-mode normalmente spenti che offrono prestazioni superiori e una resistenza in stato attivo molto bassa.

Nexperia FET GaN bidirezionale GANB8R0-040CBA

04/14/2025

- FET HEMT GaN bidirezionale da 40 V, 8,0 mΩ alloggiato in un compatto package WLCSP da 1,7 mm x 1,7 mm.

Nexperia MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx

04/14/2025

- MOSFET da 60 V e 100 V progettati per la gestione dell'energia ad alta efficienza in varie applicazioni.

Nexperia FET a canale N in modalità di miglioramento NX5020x

04/01/2025

- I dispositivi hanno una tensione di soglia molto bassa e una commutazione molto veloce grazie alla tecnologia MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET di potenza specifici per applicazioni

01/21/2025

- Combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range.

Nexperia ASFET CCPAK per hot-swap e avvio progressivo

01/08/2025

- Offers a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on) in a single device.

Nexperia Transistor PNP BC5xPAS-Q 1 A di media potenza

12/30/2024

- Transistor PNP con certificazione AEC-Q101 in un package plastico SMD DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra sottile e senza piombo.

Nexperia Transistor di potenza BC869-Q

12/11/2024

- Transistor PNP di media potenza in un package plastico SOT89 (SC-62) a media potenza e terminali piatti.

Nexperia FET GaN bidirezionale GANB4R8-040CBA

10/01/2024

- Un transistor ad alta mobilità elettronica GaN bi-direzionale da 40 V, 4,8 mΩ in un package WLCSP.

Nexperia MOSFET a canale N BUK7J2R4-80M

08/30/2024

- Basato sulla tecnologia trench 14 a gate diviso a basso valore ohmico e alloggiato in un package LFPAK56E.

Nexperia Transistori PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q

07/04/2024

- Provides low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability.

Nexperia FET GANE3R9-150QBA al nitruro di gallio (GaN)

07/02/2024

- Un FET generico da 150 V, 3,9 mΩ al nitruro di gallio (GaN) in un package VQFN.

Nexperia MOSFET SiC a canale N NSF0x0120

07/01/2024

- Offers superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package.

Nexperia MOSFET a canale N NextPower PSMNxRx-80YSF

06/24/2024

- MOSFET con gate drive di livello standard 80 V con basso Qrr per una maggiore efficienza e minori picchi.

Nexperia MOSFET a canale N NSF0x120L4A0

04/23/2024

- MOSFET di potenza a 1200 V basati sul carburo di silicio (SiC) in pacchetti plastici a 4 pin TO-247.

Nexperia ASFET a canale N PSMN047-100NSE

04/04/2024

- 100 V, 53 mΩ ASFET combina SOA avanzato in un ingombro compatto 2 mm x 2 mm,

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

01/20/2026

- HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

Qorvo Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

01/19/2026

- I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

Qorvo Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

01/19/2026

- HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive

12/19/2025

- Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

12/04/2025

- Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

Infineon Technologies Transistori discreti IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 750 V

12/01/2025

- Package DTO247, sostituisce più transistori a bassa corrente nei package TO247 collegati in parallelo.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11/20/2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V

11/20/2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

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