Ultime novità per MOSFET

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

07/22/2024

- 800 V, protetto da Zener, testato al 100% contro le valanghe e ideale per convertitori flyback e illuminazione a LED.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

12/01/2023

- I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET F8 a canale N sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione di package completa da 30 V a 150 V.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilizza la tecnologia MDmesh K6, sfruttando 20 anni di esperienza nella tecnologia a supergiunzione.

STMicroelectronics MOSFET di potenza SH63N65DM6AG

08/18/2023

- MOSFET di potenza con DM6 MDmesh a canale N di grado automobilistico che offre tensione di blocco di 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET a canale N da 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Il dispositivo utilizza la tecnologia STripFET F8 di ST con una struttura gate trench migliorata.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6

01/25/2023

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione con protezione Zener e valanga al 100%.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N da 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione progettati utilizzando la recente tecnologia MDmesh K6.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STL325N4LF8AG

06/24/2022

- Utilizza la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura trench gate migliorata.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STripFET F8 a canale N STL320N4LF8

06/21/2022

- Prodotto con la tecnologia trench MOSFET STripFET F8.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9

05/27/2022

- Per tensione media/alta con RDS(on) molto bassa per area accoppiato a un diodo a recupero rapido.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9

05/25/2022

- Progettati per MOSFET di media/alta tensione con RDS(on) molto bassa per area.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6

05/04/2022

- Presenta eccellente RDS(on) x area e di un basso Qg, consentendo velocità di commutazione elevate e basse perdite.

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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04/14/2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideale per commutazione ad alta velocità, interruttori per la gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver motore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Si tratta di MOSFET a canale N da 80 V o 100 V, a livello logico, con resistenza di conduzione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03/13/2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03/05/2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12/19/2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11/25/2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11/20/2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

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