R1RW0408DGE-2PI#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PI#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0408DGE2PIB1
Price: 11.53 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

968-R1RW0408DGE2PIB1

N. produttore:

R1RW0408DGE-2PI#B1

Produttore:

Renesas Electronics

Descrizione:

SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS -40TO85C

Ciclo di vita:

Fine vita:

la produzione sta per cessare.

Scheda dati:

R1RW0408DGE-2PI#B1 Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	11,53 €	11,53 €
	11,52 €	253,44 €
	10,74 €	1.181,40 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Renesas Electronics
Categoria prodotto:	SRAM
RoHS::
Dimensioni memoria:	4 Mbit
Tempo di accesso:	12 ns
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Corrente di alimentazione - Max:	100 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOJ-36
Confezione:	Tray
Marchio:	Renesas Electronics
Tipo di memoria:	SRAM
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	SRAM
Quantità colli di fabbrica:	22
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

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EOL

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CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

SRAM asincrone

Le SRAM asincrone di Renesas Electronics sono basate sulla tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. La tecnologia e le tecniche innovative di progettazione dei circuiti forniscono una soluzione economica per le esigenze di memoria SRAM asincrona ad alta velocità. I circuiti asincroni completamente statici non richiedono alcun clock o aggiornamento per il funzionamento. Renesas fornisce SRAM asincrona in package RoHS comparibile con 6/6 (verde) utilizzando opzioni di package standard del settore.