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AT28C256-20DM/883

Name: Microchip AT28C256-20DM/883
Brand: Microchip Technology
SKU: 556-A28C25620DM883
Price: 217.06 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

556-A28C25620DM883

N. produttore:

AT28C256-20DM/883

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS

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Scheda dati:

AT28C256-20DM/883 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	217,06 €	217,06 €
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112	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	EEPROM
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Dimensioni memoria:	256 kbit
Tipo di interfaccia:	Parallel
Organizzazione:	32 k x 8
Package/involucro:	CDIP-28
Tempo di accesso:	200 ns
Tensione di alimentazione - Min.:	4.5 V
Tensione di alimentazione - Max.:	5.5 V
Stile di montaggio:	Through Hole
Conservazione dei dati:	10 Year
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	AT28C256
Confezione:	Tube
Lettura corrente attiva - Massima:	50 mA
Marchio:	Microchip Technology
Sensibili all’umidità:	Yes
Tensione di alimentazione di lavoro:	5 V
Tempo di accesso abilitazione uscita:	80 ns
Tipo di prodotto:	EEPROM
Quantità colli di fabbrica:	14
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Corrente di alimentazione - Max:	50 mA
Peso unità:	4,188 g

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AT28C256 256K EEPROM Memory

Microchip AT28C256 256K EEPROM Memory devices are high-performance, Electrically Erasable, and Programmable Read-only Memory (EEPROM). The EEPROM 256K of memory is organized as 32,768 words by 8-bits. These devices are manufactured with Atmel's advanced non-volatile CMOS technology, offering 150ns access time with 440mW power dissipation. The AT28C256 memory devices are accessed like static RAM for reading or writing cycles without needing external components. These AT28C256 devices contain a 64-byte page register to allow writing up to 64 bytes. The EEPROM devices utilize an internal error correction for extended endurance and improved data retention.