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IS66WVC2M16EALL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-VC2M16EAL7010BLI
Price: 5.67 EUR
Availability: OutOfStock

N. Mouser:

870-VC2M16EAL7010BLI

N. produttore:

IS66WVC2M16EALL-7010BLI

Produttore:

ISSI

Descrizione:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Scheda dati:

IS66WVC2M16EALL-7010BLI Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,67 €	2.721,60 €
	5,55 €	5.328,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ISSI
Categoria prodotto:	SRAM
RoHS::
Dimensioni memoria:	32 Mbit
Organizzazione:	2 M x 16
Tempo di accesso:	70 ns
Tipo di interfaccia:	Parallel
Tensione di alimentazione - Max.:	1.95 V
Tensione di alimentazione - Min.:	1.7 V
Corrente di alimentazione - Max:	30 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Marchio:	ISSI
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	SRAM
Serie:	IS66WVC2M16EALL
Quantità colli di fabbrica:	480
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Peso unità:	3,221 g

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Scheda dati

IS66WVC2M16EALL-7010BLI Scheda dati (PDF)

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Codici di conformità

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Taiwan
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Taiwan

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.