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MAPC-A3010-ABSB1

Name: MACOM MAPC-A3010-ABSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3010-ABSB1
Price: 2068.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

937-MAPC-A3010-ABSB1

N. produttore:

MAPC-A3010-ABSB1

Produttore:

MACOM

Descrizione:

Strumenti di sviluppo RF Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

MAPC-A3010-ABSB1 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	Strumenti di sviluppo RF
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Prodotto:	Add-On Boards
Tipo:	RF Transistor
Strumento per la valutazione di:	MAPC-A3010-AB
Frequenza:	0 Hz to 4 GHz
Marchio:	MACOM
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	US
Tipo di prodotto:	RF Development Tools
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Development Tools

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Scheda dati

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CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
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MXHTS:: 9030820100
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.