MAPC-A3010-ABSB1

MACOM
937-MAPC-A3010-ABSB1
MAPC-A3010-ABSB1

Produttore:

Descrizione:
Strumenti di sviluppo RF Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB

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MACOM
Categoria prodotto: Strumenti di sviluppo RF
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RoHS::  
Add-On Boards
RF Transistor
MAPC-A3010-AB
0 Hz to 4 GHz
Marchio: MACOM
Tipo di prodotto: RF Development Tools
Quantità colli di fabbrica: 1
Sottocategoria: Development Tools
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Attributi selezionati: 0

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Codici di conformità
TARIC:
9030820000
CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
3A001.b.3.a.4
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Stati Uniti d'America
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.