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MAPC-A3005-ASSB1

Name: MACOM MAPC-A3005-ASSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-ASSB1
Price: 1509.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

937-MAPC-A3005-ASSB1

N. produttore:

MAPC-A3005-ASSB1

Produttore:

MACOM

Descrizione:

Strumenti di sviluppo RF Application & Test Fixture, MAPC-A3005

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

MAPC-A3005-ASSB1 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	Strumenti di sviluppo RF
RoHS::
Prodotto:	Add-On Boards
Tipo:	RF Transistor
Strumento per la valutazione di:	MAPC-A3005-AS
Frequenza:	DC to 8 GHz
Marchio:	MACOM
Tipo di prodotto:	RF Development Tools
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Development Tools

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Scheda dati

MAPC-A3005-ASSB1 Scheda dati (PDF)

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USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.