driver di porta BM61x

I gate driver BM61x di ROHM Semiconductor forniscono un isolamento galvanico da 1 CAN con tensione di isolamento di 3750Vrms e tempo di ritardo i/o di 65 ns. Questi driver di porta presentano una funzione di blocco Miller attiva e la funzione di blocco sottotensione (UVLF). I gate driver BM61x operano in un intervallo di temperatura da -40 °C a +125 °C e in un intervallo di tensione di alimentazione dal lato di ingresso da 4,5 V a 5,5 V. Questi gate driver funzionano a corrente di uscita 4 A, temperatura di giunzione massima +150 °C e larghezza di impulso di ingresso minima 60 ns. I gate driver BM61x di ROHM Semiconductor sono ideali per pilotare MOSFET SiC.

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ROHM Semiconductor Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK001 board can be driving MOSFET and IGBT Power Devices. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side power supply is from 9 to 24 V. The BM61M22BFJ-C has Power Supply pro
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Evaluation Boards IGBT Driver, MOSFET Driver 4.5 V to 5.5 V 9 V to 24 V BM61M22BFJ-C
ROHM Semiconductor Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK002 board can be driving two MOSFET and IGBT Power Devices such as for High-side and Low-side on Half Bridge application. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side pow
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Evaluation Boards IGBT Driver, MOSFET Driver 4.5 V to 5.5 V 9 V to 24 V BM61M22BFJ-C