MMBT5551WR100701 Transistor bipolari - BJT

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Panjit Transistor bipolari - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Scheda dati
29.441A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MMBT5551W-R1-00701
Panjit Transistor bipolari - BJT
Scheda dati
N/A