HS1Q Diodi e raddrizzatori

Tipi di Diodi e raddrizzatori
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Tipo di prodotto
Stile di montaggio
Package/involucro
Vr - Tensione inversa
Vf - Tensione diretta
If - Corrente diretta
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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2.756A magazzino
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Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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9.800A magazzino
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Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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9.800A magazzino
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Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified
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9.800A magazzino
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Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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7.355A magazzino
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Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.59 V 1 A
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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2.965A magazzino
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Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Taiwan Semiconductor Raddrizzatori 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified
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9.730A magazzino
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Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Toshiba Diodi Schottky SiC SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
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65A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 102 A
Toshiba Diodi Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
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324A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 4 A
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
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56A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 38 A
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
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67A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 83 A
Toshiba Diodi Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
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93A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 10 A
Toshiba Diodi Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
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136A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 12 A
Toshiba Diodi Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
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31A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 3 A
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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15A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 50 A
Toshiba Diodi Schottky SiC RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
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129A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 61 A
Toshiba Diodi Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
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287A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 6 A
Toshiba Diodi Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
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31A magazzino
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 8 A
Toshiba Diodi Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
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10A magazzino
25008/04/2026 previsto
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 2 A