RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

Produttore:

Descrizione:
IGBTs POWER TRS1

Ciclo di vita:
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6,49 € 778,80 €

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Renesas Electronics
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
Marchio: Renesas Electronics
Corrente continua di collettore Ic max: 20 A
Corrente di perdita gate-emettitore: 1 uA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: IGBTs
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT di commutazione ad alta velocità RJP65T43DPM

L’IGBT di commutazione ad alta velocità RJP65T43DPM di Renesas Electronics è un IGBT 650 V, 20 A con un intervallo di frequenze di funzionamento da 20 kHz a 100 kHz. Questo IGBT offre bassa tensione di saturazione collettore-emettitore ed è disponibile in un package TO-3PFM. L’IGBT RJP65T43DPM presenta una corrente di picco collettore di150 A, dissipazione del collettore di 68,8 W e temperatura di giunzione di 175 °C. Questo IGBT tollera temperature da -55 °C a 150 °C quando non in uso e le applicazioni tipiche includono la correzione del fattore di potenza (PFC).

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