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NVH4L018N075SC1

Name: onsemi NVH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L018N075SC1
Price: 23.26 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVH4L018N075SC1

N. produttore:

NVH4L018N075SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 750V

Scheda dati:

NVH4L018N075SC1 Scheda dati

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Package/involucro:	TO-247-4
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Serie:	NVH4L018N075SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC

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Scheda dati

NVH4L018N075SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.