NCP51561DADWR2G

onsemi
863-NCP51561DADWR2G
NCP51561DADWR2G

Produttore:

Descrizione:
Gate driver isolati galvanicamente 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::  
NCP51561
SMD/SMT
SOIC-16
2 Channel
5 kVrms
- 40 C
+ 125 C
58 ns
11 ns
10 ns
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Dual
Tensione di ingresso - Max: 5 V
Tensione di ingresso - Min.: 3 V
Ritardo di spegnimento massimo: 58 ns
Ritardo di accensione massimo: 58 ns
Numero di driver: 2 Driver
Numero di uscite: 2 Output
Corrente di uscita: 4.5 A, 9 A
Tensione di uscita: 18.5 V to 30 V
Prodotto: Gate Driver
Tipo di prodotto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.: 5 V
Tensione di alimentazione - Min.: 3 V
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Attributi selezionati: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

Driver di gate a due canali isolato da 5 kVRMS NCP51561

I driver di gate a due canali isolati da 5 kVrms NCP51561 di onsemi sono progettati per una rapida commutazione per attivare MOSFET di potenza e interruttori di alimentazione MOSFET SiC. I gate driver NCP51561 da 4,5 A/9,0 A offrono ritardi di propagazione brevi e corrispondenti. È possibile utilizzare due canali driver di gate indipendenti e galvanicamente isolati da 5 kVRMS (classificazione UL1577) in qualsiasi possibile configurazione di due switch low-side, due switch high-side o un driver half-bridge con tempo morto programmabile. Un pin di abilitazione spegne entrambe le uscite simultaneamente quando è abbassato. I gate driver NCP51561 integrano altre importanti funzioni di protezione, come il blocco della sotto tensione indipendente per i driver di porta e l'abilitazione delle funzioni.

Unità di azionamento industriali

Gli azionamenti motori industriali di onsemi sono progettati per la sostenibilità globale, fornendo tecnologie efficienti e rinnovabili e alimentazione intelligente. Secondo l'analisi di mercato dei sistemi motori (MS mA) del 2020, pubblicata dal Dipartimento dell'Energia (DOE) degli Stati Uniti, le pompe e gli azionamenti industriali consumano annualmente quasi il 15% della rete elettrica totale degli Stati Uniti. La MSMA del 2020 stima inoltre che si possono risparmiare annualmente 32,3 milioni di tonnellate metriche di emissioni di CO2 utilizzando i VFD. onsemi produce un'ampia gamma di componenti semiconduttori VFD, tra cui gate driver, MOSFET, IGBT ed EliteSiC.

Cloud Power Management Solutions

onsemi Cloud Power Management Solutions offers computing and connectivity essential for infrastructure. onsemi Cloud Power Management Solutions' power is critical for processors, memory banks, and wireless base stations. As operations shift to the Cloud, the importance of efficiency and reliability grows. AI servers, in particular, require a reliable power source to ensure optimal performance and efficiency, making solutions crucial for maintaining the integrity and functionality of AI-driven operations. onsemi provides diverse solutions for AC-DC conversion, multiphase conversion, point-of-load supplies, and hot-swap protection to support various power needs in cloud infrastructure. Cutting-edge technology, dependable performance, and deep application expertise make onsemi an ideal partner for powering data in today’s environment, whether in base stations, servers, or data centers.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.