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747-IXFT320N10T2 MOSFET

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Seleziona	Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	RoHS	Modello ECAD	Tecnologia	Stile di montaggio	Package/involucro	Polarità transistor	Numero di canali	Vds - Tensione di rottura drain-source	Id - corrente di drain continua	Rds On - Drain-source sulla resistenza	Vgs - Tensione gate-source	Vgs th - Tensione di soglia gate-source	Qg - Carica del gate	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Pd - Dissipazione di potenza	Modalità canale	Nome commerciale	Confezione
	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXFT320N10T2 IXYS 1: 22,45 € 945A magazzino 3.510In ordine	Produttore Codice prodotto IXFT320N10T2 Codice Mouser 747-IXFT320N10T2	IXYS	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET Maggiori informazioni su IXYS gen2 trench gate mosfets	Scheda dati	945A magazzino 3.510In ordine Nelle date di spedizione dell'ordine N. produttore: IXFT320N10T2 A magazzino: 945 Spedizione immediata In ordine: 60 14/12/2026 previsto 1.650 23/12/2026 previsto 1.800 25/01/2027 previsto Tempo di consegna da parte della fabbrica: 22 settimane	22,45 € 15,82 € 14,57 € 14,52 €	Min: 1 Mult.: 1			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	320 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	430 nC	- 55 C	+ 175 C	1 kW	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH IXFT320N10T2-TRL IXYS 400: 14,52 € Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane	Produttore Codice prodotto IXFT320N10T2-TRL Codice Mouser 747-IXFT320N10T2-TRL	IXYS	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH Maggiori informazioni su IXYS littelfuse trencht2 mosfets	Scheda dati	Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane	Nastrati 14,52 €	Min: 400 Mult.: 400 : 400			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)		1 Channel	200 V	180 A	7.5 mOhms	20 V	2 V	154 nC			735 W	Enhancement	TrenchT2	Reel

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