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ISC015N06NM5LF2ATMA1

Name: Infineon ISC015N06NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC015N06NM5LF2A
Price: 3.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-ISC015N06NM5LF2A

N. produttore:

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET IFX FET 60V

Scheda dati:

ISC015N06NM5LF2ATMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TDSON-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	275 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.55 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.45 V
Qg - Carica del gate:	90 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	217 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	15 ns
Transconduttanza diretta - Min:	28 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	16 ns
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	31 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns
Alias n. parte:	ISC015N06NM5LF2ATMA1 SP005987895

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Scheda dati

ISC015N06NM5LF2ATMA1 Scheda dati (PDF)

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Australia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Austria

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza OptiMOS™ 5

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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	1,13 €	11.300,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Produttore: Infineon Technologies

Descrizione: MOSFET IFX FET 60V

Caratteristiche tecniche

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