IMZA120R020M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA120R020M1HXK
IMZA120R020M1HXKSA1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
98 A
19 mOhms
- 10 V, + 23 V
4.2 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
375 W
Enhancement
Marchio: Infineon Technologies
Confezione: Tube
Prodotto: MOSFETs
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Quantità colli di fabbrica: 240
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Alias n. parte: IMZA120R020M1H SP005448293
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET trench SiC da 1200 V CoolSiC™

I MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC ™ di  Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET trench SiC 1200 V CoolSiC sono costruiti su un processo a semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per fornire le  perdite più basse nell'applicazione e la massima affidabilità di funzionamento. Adatti per le alte temperature e le operazioni negli ambienti più difficili, questi dispositivi consentono l'implementazione semplificata e conveniente della massima efficienza di sistema.