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IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 3.84 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IGLD65R110D2AUMA

N. produttore:

IGLD65R110D2AUMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IGLD65R110D2AUMA1 Scheda dati (PDF)

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,84 €	3,84 €
	2,56 €	25,60 €
	1,97 €	197,00 €
	1,75 €	875,00 €
	1,66 €	1.660,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	1,42 €	4.260,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PG-LSON-8
Polarità transistor:	HEMT
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	140 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.2 V
Qg - Carica del gate:	2.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	51 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolGaN
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	20 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	GaN Transistors
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	7 ns
Serie:	650 V G5
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	10 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Alias n. parte:	IGLD65R110D2 SP005918714

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V

I transistori CoolGaN™ G5 da 650 V di Infineon Technologies presentano una tecnologia di transistor al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza per la conversione di potenza. La famiglia G5 da 650 V è adatta alle sfide delle applicazioni di consumo, dei data center, industriali e solari. I transistori offrono un'efficienza e una densità di potenza di sistema migliorate, con una capacità di commutazione ultraveloce. La tecnologia CoolGaN offre soluzioni discrete e integrate progettate per migliorare le prestazioni complessive del sistema. I transistori CoolGaN 650 V G5 di Infineon Technologies consentono alte frequenze operative e riducono i livelli di EMI. I transistori sono ideali per la distribuzione di energia, alimentatori a commutazione (SMPS), telecomunicazioni e altre applicazioni industriali.