Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Name: Infineon FF8MR12W1M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF8MR12W1M1HB11B
Price: 96.67 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

726-FF8MR12W1M1HB11B

N. produttore:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Moduli a semiconduttori discreti CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

Scheda dati:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 402

A magazzino:: 402 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 10 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	96,67 €	96,67 €
	81,21 €	812,10 €
	73,19 €	8.782,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::
Tipo:	Half Bridge
Tecnologia:	Si
Confezione:	Tray
Marchio:	Infineon Technologies
Tipo di prodotto:	Discrete Semiconductor Modules
Quantità colli di fabbrica:	24
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	EasyDUAL
Alias n. parte:	FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Alimentazione affidabile ed efficiente per data center

L’alimentazione affidabile ed efficiente per i data center di Infineon è una soluzione scalabile con potenze nominali da circa 5 kW a 50/60kW. Questa soluzione Infineon è ideale per gruppi di continuità (UPS) che richiedono alta densità di potenza ed efficienza energetica. Questi moduli sfruttano varie tecnologie a chip, tra cui MOSFET IGBT Si, CoolSiC™ ibridi e CoolSiC per soddisfare diversi requisiti di convenienza e prestazioni. Il portafoglio di Infineon risponde a tutti i livelli di sistema di un UPS con diverse classi di tensione ed è destinato ad ampliare le offerte per includere classi di potenza nominale più bassa.

Moduli IGBT EasyDUAL™ 1 B

I moduli IGBT EasyDUAL™ 1 B di Infineon Technologies con MOSFET CoolSiC™ offrono induttanza parassita molto bassa ed efficienza eccezionale che consentono frequenze maggiori, maggiore densità di potenza e requisiti di raffreddamento ridotti. I moduli a mezzo ponte 1200 V, 8 mΩ presentano un sensore di temperatura NTC integrato e la tecnologia di contatto PressFIT. Il materiale di Interfaccia termica è disponibile nelle varianti xHP_B11. Questi dispositivi presentano intervalli di tensione del gate drive consigliati da 0 a 5 V e da +15 V a +18 V, tensioni gate-source massime di +23 V o -10 V e opzioni di resistenza drain-source 17 mΩ o 33 mΩ. I morsetti di montaggio integrati forniscono una robusta garanzia di montaggio.