Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Name: Infineon F3L75R12W1H3B11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L75R12W1H3B11B
Price: 31.43 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

726-F3L75R12W1H3B11B

N. produttore:

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

Scheda dati:

F3L75R12W1H3B11BPSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Infineon Technologies F3L75R12W1H3B11BPSA1

A magazzino: 6

A magazzino:: 6

Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 24

13/02/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 10

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	31,43 €	31,43 €
	21,63 €	216,30 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Configurazione:	Quad
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.45 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	75 A
Pd - Dissipazione di potenza:	275 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	High Speed IGBT H3
Confezione:	Tray
Marchio:	Infineon Technologies
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	24
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	EasyPACK
Alias n. parte:	F3L75R12W1H3_B11 SP001355698
Peso unità:	24 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Alimentazione affidabile ed efficiente per data center

L’alimentazione affidabile ed efficiente per i data center di Infineon è una soluzione scalabile con potenze nominali da circa 5 kW a 50/60kW. Questa soluzione Infineon è ideale per gruppi di continuità (UPS) che richiedono alta densità di potenza ed efficienza energetica. Questi moduli sfruttano varie tecnologie a chip, tra cui MOSFET IGBT Si, CoolSiC™ ibridi e CoolSiC per soddisfare diversi requisiti di convenienza e prestazioni. Il portafoglio di Infineon risponde a tutti i livelli di sistema di un UPS con diverse classi di tensione ed è destinato ad ampliare le offerte per includere classi di potenza nominale più bassa.

Moduli di alimentazione IGBT EasyPACK™ 1B

I moduli di potenza IGBT EasyPACK™ 1B di Infineon Technologies sono una soluzione scalabile con un sistema di griglia di pin flessibile, perfetta per personalizzare il layout e la piedinatura. I package sono privi di piastra di base, il che consente l'utilizzo in varie applicazioni. I moduli di potenza IGBT EasyPACK 1B di Infineon coprono l'intero intervallo di potenza da 20 A fino a 100 A a 600 V/650 V/1200 V in configurazioni PIM o Six-Pack. Questi moduli offrono un intervallo di dissipazione di potenza da 135 W a 275 W e funzionano da -40°C fino a +150°C o +175°C.

Moduli IGBT a tre livelli da 1200 V

I moduli IGBT a 3 livelli da 1200 V di Infineon Technologies offrono prestazioni elettriche e alta affidabilità senza limitare la flessibilità di progettazione. I moduli IGBT coprono una gamma di wattaggio da poche centinaia di watt a diversi megawatt. I moduli IGBT da 1200 V sono progettati per applicazioni a 3 livelli.