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6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 3.52 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-6ED2230S12TXUMA1

N. produttore:

6ED2230S12TXUMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Driver di porta 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Scheda dati:

6ED2230S12TXUMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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A magazzino: 61

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,52 €	3,52 €
	2,67 €	26,70 €
	2,45 €	61,25 €
	2,22 €	222,00 €
	2,11 €	527,50 €
	2,04 €	1.020,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	1,97 €	1.970,00 €
	1,89 €	3.780,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DSO-24
Numero di driver:	6 Driver
Numero di uscite:	6 Output
Corrente di uscita:	650 mA
Tensione di alimentazione - Min.:	13 V
Tensione di alimentazione - Max.:	20 V
Configurazione:	Inverting
Tempo di salita:	35 ns
Tempo di caduta:	20 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	Infineon SOI
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Tipo di logica:	CMOS
Ritardo di spegnimento massimo:	600 ns
Ritardo di accensione massimo:	600 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	175 uA
Pd - Dissipazione di potenza:	1.3 W
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	900 ns
Spegnimento:	Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si
Nome commerciale:	EiceDRIVER
Alias n. parte:	6ED2230S12T SP001656578
Peso unità:	807,300 mg

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

CI gate driver EiceDRIVER™

I CI gate driver EiceDRIVER™ di Infineon sono progettati per dispositivi MOSFET IGBT, MOSFET SiC e HEMT GaN. I gate driver EiceDRIVER™ forniscono un'ampia gamma di opzioni tipiche della corrente di uscita, da 0,1 A fino a 10 A. Questi dispositivi sono dotati di funzionalità di robusta protezione per gate drive, come la protezione veloce per il cortocircuito (DESAT), il morsetto Miller attivo, la protezione da scatto, la protezione da guasto da sovracorrente, lo spegnimento e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono questi CI driver ideali per dispositivi di potenza in silicio e a banda larga, tra cui CoolGaN™ e CoolSiC™. Ecco perché Infineon offre più di 500 soluzioni CI driver di porta EiceDRIVER™ adatte a qualsiasi interruttore di alimentazione e qualsiasi applicazione.

Gate driver di spostamento del livello da 1200 V

I driver di porta di spostamento di livello da 1200 V di Infineon per unità industriali includono driver trifase, a mezzo ponte e a valle adatti per IGBT o MOSFET. Il driver SOI trifase 6ED2230S12T da 1200 V con diodo di bootstrap (BSD) integrato e protezione da sovracorrente utilizza l’esclusiva tecnologia di spostamento di livello SOI (Silicon-on-Insulator) di Infineon. Il 6ED2230S12T fornisce un isolamento funzionale con un negativo leader del settore rispetto alla robustezza. Fornisce inoltre perdite di spostamento di livello ridotte con il diodo di bootstrap integrato che consente un costo inferiore del materiale e un ingombro ridotto sulla PCB.

CI driver di porta 6ED223xS12T EiceDRIVER™

I CI del driver di porta di spostamento di livello 6ED223xS12T ™ EiceDRIVER di Infineon Technologies sono transistor bipolari a porta isolata (IGBT) ad alta velocità e alta tensione (fino a 1200 V) con tre canali di uscita referenziati indipendenti a monte e a valle per applicazioni trifase. Le tecnologie HVIC e latch-immune CMOS proprietarie consentono una struttura monolitica rinforzata. L’ingresso logico è compatibile con le uscite CMOS o TTL standard, fino alla logica 3,3 V. Questo resistore può anche derivare una funzione di protezione da sovracorrente (OCP) che termina tutte e sei le uscite.