2ED2182S06FXUMA1

Infineon Technologies
726-2ED2182S06FXUMA1
2ED2182S06FXUMA1

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta LEVEL SHIFT DRIVER

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
DSO-8
1 Driver
1 Output
2.5 A
10 V
20 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marchio: Infineon Technologies
Tipo di logica: CMOS, LSTTL
Ritardo di spegnimento massimo: 300 ns
Ritardo di accensione massimo: 300 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Corrente di alimentazione operativa: 550 uA
Pd - Dissipazione di potenza: 625 mW
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max: 300 ns
Spegnimento: Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: Si
Alias n. parte: 2ED2182S06F SP003244532
Peso unità: 233,750 mg
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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

CI gate driver EiceDRIVER™

I CI gate driver EiceDRIVER™ di Infineon sono progettati per dispositivi MOSFET IGBT, MOSFET SiC e HEMT GaN. I gate driver EiceDRIVER™ forniscono un'ampia gamma di opzioni tipiche della corrente di uscita, da 0,1 A fino a 10 A. Questi dispositivi sono dotati di funzionalità di robusta protezione per gate drive, come la protezione veloce per il cortocircuito (DESAT), il morsetto Miller attivo, la protezione da scatto, la protezione da guasto da sovracorrente, lo spegnimento e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono questi CI driver ideali per dispositivi di potenza in silicio e a banda larga, tra cui CoolGaN™ e CoolSiC™. Ecco perché Infineon offre più di 500 soluzioni CI driver di porta EiceDRIVER™ adatte a qualsiasi interruttore di alimentazione e qualsiasi applicazione.

2ED218x High-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers

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2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers

Infineon Technologies 2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers offer an integrated bootstrap diode (BSD) and silicon-on-insulator (SOI) technology in a DSO-8 or DSO-14 package. The high-voltage, level-shift SOI technology in these 0.7A drivers provides robustness against negative transient voltage spikes and lowers level-shift power losses to minimize device-switching power dissipation. The advanced process enables monolithic high-voltage and low-voltage circuitry construction with technology-enhanced benefits. Infineon Technologies 2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers feature excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on the VS pin.

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