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2ED2182S06FXUMA1

Name: Infineon 2ED2182S06FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-2ED2182S06FXUMA1
Price: 1.57 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-2ED2182S06FXUMA1

N. produttore:

2ED2182S06FXUMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Driver di porta LEVEL SHIFT DRIVER

Scheda dati:

2ED2182S06FXUMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,57 €	1,57 €
	1,16 €	11,60 €
	1,06 €	26,50 €
	0,963 €	96,30 €
	0,903 €	225,75 €
	0,886 €	443,00 €
	0,869 €	869,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,81 €	2.025,00 €
	0,777 €	3.885,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DSO-8
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	2.5 A
Tensione di alimentazione - Min.:	10 V
Tensione di alimentazione - Max.:	20 V
Tempo di salita:	15 ns
Tempo di caduta:	15 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Tipo di logica:	CMOS, LSTTL
Ritardo di spegnimento massimo:	300 ns
Ritardo di accensione massimo:	300 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	550 uA
Pd - Dissipazione di potenza:	625 mW
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	300 ns
Spegnimento:	Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si
Alias n. parte:	2ED2182S06F SP003244532
Peso unità:	233,750 mg

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Scheda dati

2ED2182S06FXUMA1 Scheda dati (PDF)

Models

2ED2182S06FXUMA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

CI gate driver EiceDRIVER™

I CI gate driver EiceDRIVER™ di Infineon sono progettati per dispositivi MOSFET IGBT, MOSFET SiC e HEMT GaN. I gate driver EiceDRIVER™ forniscono un'ampia gamma di opzioni tipiche della corrente di uscita, da 0,1 A fino a 10 A. Questi dispositivi sono dotati di funzionalità di robusta protezione per gate drive, come la protezione veloce per il cortocircuito (DESAT), il morsetto Miller attivo, la protezione da scatto, la protezione da guasto da sovracorrente, lo spegnimento e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono questi CI driver ideali per dispositivi di potenza in silicio e a banda larga, tra cui CoolGaN™ e CoolSiC™. Ecco perché Infineon offre più di 500 soluzioni CI driver di porta EiceDRIVER™ adatte a qualsiasi interruttore di alimentazione e qualsiasi applicazione.

2ED218x High-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers

Infineon Technologies 2ED218x High-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers feature silicon-on-insulator (SOI) technology and an integrated bootstrap diode (BSD) in a DSO-8 or DSO-14 package. The series combines high current with high speed to drive MOSFETs and IGBTs with typical 2.5A sink and source current. The high-voltage, level-shift SOI technology provides robustness to protect against negative transient voltage spikes and lowers level-shift power losses to minimize device-switching power dissipation. The advanced process allows monolithic high-voltage and low-voltage circuitry construction with technology-enhanced benefits. Infineon Technologies 2ED218x High-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers offer ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on the VS pin.

2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers

Infineon Technologies 2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers offer an integrated bootstrap diode (BSD) and silicon-on-insulator (SOI) technology in a DSO-8 or DSO-14 package. The high-voltage, level-shift SOI technology in these 0.7A drivers provides robustness against negative transient voltage spikes and lowers level-shift power losses to minimize device-switching power dissipation. The advanced process enables monolithic high-voltage and low-voltage circuitry construction with technology-enhanced benefits. Infineon Technologies 2ED210x Low-Current 650V Half-Bridge Gate Drivers feature excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on the VS pin.

Small Home Appliance Solutions

Infineon Small Home Appliance Solutions features a portfolio of products that fit into small home appliance applications. There is a growing trend for style and more efficiency, which designers are addressing with countless variations. Energy-efficient, modern-looking, wipe-clean, and hermetically sealed surfaces are only a few characteristics that a design engineer has to consider and incorporate into new designs. Infineon delivers solutions for several key areas, such as induction heating, as well as appliances that require motor control solutions with energy-efficient, integrated power devices.

CI driver di porta SOI (Silicon-on-Insulator)

I CI driver di porta Silicon-on-Insulator (SOI) di Infineon sono CI driver di porta ad alta tensione con spostamento di livello per IGBT e MOSFET. La tecnologia SOI è una tecnologia ad alta tensione e a scorrimento di livello che fornisce vantaggi unici, misurabili e migliori del settore. Questi includono il diodo di bootstrap integrato (BSD) e la robustezza migliore del settore per proteggere da picchi di tensione transitoria negativa. Ogni transistor è isolato dal biossido di silicio sepolto, che elimina i transistor bipolari parassiti che causano latch-up. Questa tecnologia può anche ridurre le perdite di potenza di spostamento di livello per ridurre al minimo la dissipazione di potenza di commutazione del dispositivo. Il processo avanzato consente la costruzione di circuiti monolitici ad alta tensione e bassa tensione con vantaggi tecnologici avanzati.