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1ED21271S65FXUMA1

Name: Infineon 1ED21271S65FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED21271S65FXUMA
Price: 2 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-1ED21271S65FXUMA

N. produttore:

1ED21271S65FXUMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Driver di porta 650V high-side gate driver

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

1ED21271S65FXUMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,00 €	2,00 €
	1,29 €	12,90 €
	1,15 €	28,75 €
	0,955 €	95,50 €
	0,894 €	223,50 €
	0,781 €	390,50 €
	0,679 €	679,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,617 €	1.542,50 €
	0,588 €	4.410,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Gate Drivers
Tipo:	High-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PG-DSO-8
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	4 A
Tensione di alimentazione - Max.:	25 V
Configurazione:	Inverting
Tempo di salita:	12 ns
Tempo di caduta:	12 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Ritardo di spegnimento massimo:	80 ns
Ritardo di accensione massimo:	80 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	270 uA
Tensione di uscita:	460 mV
Pd - Dissipazione di potenza:	625 mW
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	410 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	50 Ohms
Spegnimento:	Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si
Nome commerciale:	EiceDRIVER
Alias n. parte:	1ED21271S65F SP005826767

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Driver di porta EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650 V

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650 V High-Side driver di porta sono progettati per fornire un controllo robusto ed efficiente per l'alimentazione ad alta tensione dei transistori. Questi driver di porta Infineon presentano una funzionalità di architettura high-side driver che supporta una vasta gamma di applicazioni inclusi azionamenti motori solari, inverter e alimentatori industriali. Con una tensione massima nominale di 650 V, la serie 1ED21x7x garantisce un funzionamento affidabile in ambienti impegnativi. Le caratteristiche principali includono diodi di avvio integrati, capacità di commutazione rapide e meccanismi di protezione completi come il blocco per sottotensione (UVLO) e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono la serie EiceDRIVER™ 1ED21x7x la scelta ideale per migliorare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi di alimentazione ad alta tensione.

CI gate driver EiceDRIVER™

I CI gate driver EiceDRIVER™ di Infineon sono progettati per dispositivi MOSFET IGBT, MOSFET SiC e HEMT GaN. I gate driver EiceDRIVER™ forniscono un'ampia gamma di opzioni tipiche della corrente di uscita, da 0,1 A fino a 10 A. Questi dispositivi sono dotati di funzionalità di robusta protezione per gate drive, come la protezione veloce per il cortocircuito (DESAT), il morsetto Miller attivo, la protezione da scatto, la protezione da guasto da sovracorrente, lo spegnimento e la protezione da sovracorrente. Queste caratteristiche rendono questi CI driver ideali per dispositivi di potenza in silicio e a banda larga, tra cui CoolGaN™ e CoolSiC™. Ecco perché Infineon offre più di 500 soluzioni CI driver di porta EiceDRIVER™ adatte a qualsiasi interruttore di alimentazione e qualsiasi applicazione.