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LMG3100R044VBER

Name: Texas Instruments LMG3100R044VBER
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3100R044VBER
Price: 7.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-LMG3100R044VBER

N. produttore:

LMG3100R044VBER

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Driver di porta 100V 4.4mohm GaN FET with integrated dri

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

LMG3100R044VBER Scheda dati

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	7,40 €	7,40 €
	5,39 €	53,90 €
	5,18 €	129,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	5,18 €	12.950,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Gate Drivers
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VQFN-15
Numero di uscite:	1 Output
Tensione di alimentazione - Min.:	4.75 V
Tensione di alimentazione - Max.:	5.25 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	LMG3100R044
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Kit di sviluppo:	LMG3100EVM-089
Tensione di ingresso - Max:	5.25 V
Tensione di ingresso - Min.:	4.75 V
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	35 A
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	70 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.4 mOhms
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si

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Scheda dati

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Codici di conformità

CNHTS:: 8542391090
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

FET GaN con driver integrati LMG3100R0x

I FET LMG3100R0x in nitruro di gallio (GaN) di Texas Instruments con driver integrati sono FET GaN da 1,7 mΩ e driver con traslatore di livello high-side e bootstrap Due dispositivi LGM3100 possono essere utilizzati per formare un mezzo ponte senza la necessità di un traslatore di livello esterno. I componenti FET e driver GaN sono dotati di protezione integrata contro la sottotensione (UVLO) e di una funzione interna di limitazione della tensione di alimentazione bootstrap per prevenire il sovraccarico (>5,4 V). L'LMG3100R0x di Texas Instruments offre un basso consumo energetico e un'interfaccia utente migliorata. L'LMG3100R017 è la soluzione ideale per applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza, tra cui convertitori buck-boost, convertitori LLC, inverter solari, telecomunicazioni, azionamenti motore, utensili elettrici e amplificatori audio in classe D.