LMG3100R017VBER

Texas Instruments
595-LMG3100R017VBER
LMG3100R017VBER

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri

Ciclo di vita:
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Texas Instruments
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-15
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 175 C
LMG3100R017
Reel
Cut Tape
Marchio: Texas Instruments
Tensione di ingresso - Max: 5.25 V
Tensione di ingresso - Min.: 4.75 V
Tipo di logica: TTL
Sensibili all’umidità: Yes
Corrente di alimentazione operativa: 170 uA
Tensione di uscita: 12 V
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 1.7 mOhms
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
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Attributi selezionati: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

FET GaN con driver integrati LMG3100R0x

I FET LMG3100R0x in nitruro di gallio (GaN) di Texas Instruments con driver integrati sono FET GaN da 1,7 mΩ e driver con traslatore di livello high-side e bootstrap Due dispositivi LGM3100 possono essere utilizzati per formare un mezzo ponte senza la necessità di un traslatore di livello esterno. I componenti FET e driver GaN sono dotati di protezione integrata contro la sottotensione (UVLO) e di una funzione interna di limitazione della tensione di alimentazione bootstrap per prevenire il sovraccarico (>5,4 V).  L'LMG3100R0x di Texas Instruments offre un basso consumo energetico e un'interfaccia utente migliorata. L'LMG3100R017 è la soluzione ideale per applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza, tra cui convertitori buck-boost, convertitori LLC, inverter solari, telecomunicazioni, azionamenti motore, utensili elettrici e amplificatori audio in classe D.