STL220N6F7

STMicroelectronics
511-STL220N6F7
STL220N6F7

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
60 V
260 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 38ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 43 ns
Serie: STL220N6F7
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 66 ns
Tipico ritardo di accensione: 34 ns
Peso unità: 76 mg
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa RDS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di RDS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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1,09 € 545,00 €
1,08 € 1.080,00 €
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