GP3T080A120H

Name: SemiQ GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T080A120H
Price: 4.26 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

148-GP3T080A120H

N. produttore:

GP3T080A120H

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

MOSFET SiC Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

GP3T080A120H Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4L
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	70 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	53 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	147 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	SemiQ
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Transconduttanza diretta - Min:	6 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	4 ns
Serie:	GP3T
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns

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Scheda dati

GP3T080A120H Scheda dati (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Dispositivi discreti MOSFET SiC GEN3 1.200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.