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GCMX080C120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080C120S1-E1
Price: 18.52 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

148-GCMX080C120S1-E1

N. produttore:

GCMX080C120S1-E1

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

GCMX080C120S1-E1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	18,52 €	18,52 €
	15,80 €	158,00 €
	13,66 €	1.639,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	28 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	118 W
Serie:	GCMX
Confezione:	Tube
Marchio:	SemiQ
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	26 ns
Altezza:	12.19 mm
Lunghezza:	38.1 mm
Prodotto:	Power Modules
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	4 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	MOSFET Power Module
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns
Vf - Tensione diretta:	3.7 V
Larghezza:	25.3 mm

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GCMX080C120S1-E1 Scheda dati (PDF)

Moduli di potenza MOSFET SiC GEN3 1.200 V

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.