Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

GCMS080C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS080C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS080C120S1-E1
Price: 19.09 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

148-GCMS080C120S1-E1

N. produttore:

GCMS080C120S1-E1

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

GCMS080C120S1-E1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su SemiQ GCMS080C120S1-E1

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 8 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	19,09 €	19,09 €
	11,65 €	116,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	28 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	118 W
Serie:	GCMS
Confezione:	Tube
Marchio:	SemiQ
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	31 ns
Altezza:	12.19 mm
Lunghezza:	38.1 mm
Prodotto:	Power Modules
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	4 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Ritardo di spegnimento tipico:	20 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns
Vf - Tensione diretta:	2.27 V
Larghezza:	25.3 mm

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

GCMS080C120S1-E1 Scheda dati (PDF)

Moduli di potenza MOSFET SiC GEN3 1.200 V

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.