TO-3P-3 Semiconduttori discreti

Tipi di Semiconduttori discreti

Modifica visualizzazione categoria
Risultati: 138
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Tipo di prodotto Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro
STMicroelectronics SCR 30 Amp 800 Volt 810A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt 610A magazzino
1.20012/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 791A magazzino
1.08024/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds 393A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 527A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds 355A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 1.678A magazzino
2.12526/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 3.289A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT Transistor NPN 230V 15A 1.284A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistor bipolari - BJT 150W 1.879A magazzino
1.35018/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistor bipolari - BJT 150W 1.695A magazzino
1.47016/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistor bipolari - BJT 200W NPN 729A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 738A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ 640A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBTs 600V/30A DIS 137A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistor bipolari - BJT 200W PNP 141A magazzino
33024/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistor bipolari - BJT NPN TO-3P POWER TRANS 66A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistor bipolari - BJT NPN 230V 15A 1.567A magazzino
16.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt 134A magazzino
4.200In ordine
Min: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodi di commutazione per piccoli segnali 120 Amps 300V 28A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodi di commutazione per piccoli segnali 60 Amps 200V 19A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodi di commutazione per piccoli segnali 60 Amps 300V 9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodi di commutazione per piccoli segnali 60 Amps 400V 30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds 89A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 220A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3