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Qtà RoHS
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
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Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
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Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
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ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
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: 2.500
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
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: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
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Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
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Min: 136
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ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
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ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
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: 1.500

ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R
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Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade
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Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI NAND Flash 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade
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: 2.500


ISSI NAND Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
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: 2.500

ISSI NAND Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
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: 4.000

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
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: 2.500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
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: 2.500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
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ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
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: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
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Tempo di consegna, se non a magazzino 36 settimane
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ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
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Min: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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Min: 1.500
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