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NSS12100UW3TCG

Name: onsemi NSS12100UW3TCG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS12100UW3TCG
Price: 0.67 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NSS12100UW3TCG

N. produttore:

NSS12100UW3TCG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

Scheda dati:

NSS12100UW3TCG Scheda dati

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,671 €	0,67 €
	0,426 €	4,26 €
	0,286 €	28,60 €
	0,223 €	111,50 €
	0,205 €	205,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,18 €	540,00 €
	0,166 €	996,00 €
	0,151 €	1.359,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WDFN3
Polarità transistor:	PNP
Configurazione:	Single
Corrente CC massima collettore:	1 A
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	12 V
Tensione base-collettore VCBO:	12 V
Tensione emettitore-base VEBO:	5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	400 mV
Pd - Dissipazione di potenza:	1.1 W
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:	200 MHz
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	NSS12100UW
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	MY
Paese di origine:	MY
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	9,300 mg

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Scheda dati

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PCN

SPICE Models

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

Family of Vce(sat) BJT devices feature low-saturation voltage and high-current gain.

Transistor a bassa VCE (sat) e2PowerEdge

I transistor onsemi e2PowerEdge Low _VCE(sat)sono dispositivi miniaturizzati a montaggio superficiale caratterizzati da una tensione di saturazione ultra bassa _(VCE(sat))e da un'elevata capacità di guadagno di corrente. Questi sono progettati per applicazioni di commutazione ad alta velocità e bassa tensione, dove è essenziale un controllo dell'energia efficiente e conveniente. Le applicazioni tipiche sono convertitori CC-CC e risparmio energetico in prodotti portatili e alimentati a batteria come telefoni cellulari e senza fili, PDA, computer, stampanti, fotocamere digitali e lettori MP3. Altre applicazioni sono controlli motore a bassa tensione in prodotti di archiviazione di massa come unità disco e a nastro. Possono essere utilizzati per l’installazione di airbag e per i cluster di strumenti nel settore automobilistico. L’alto guadagno di corrente consente ai dispositivi Onsemi e2PowerEdge di essere pilotati direttamente dalle uscite di controllo PMU e il guadagno lineare (Beta) li rende i componenti ideali negli amplificatori analogici.