NSS12100UW3TCG

onsemi
863-NSS12100UW3TCG
NSS12100UW3TCG

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

Modello ECAD:
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0,23 € 115,00 €
0,21 € 210,00 €
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0,177 € 531,00 €
0,164 € 984,00 €
0,151 € 1.359,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
SMD/SMT
WDFN3
PNP
Single
1 A
12 V
12 V
5 V
400 mV
1.1 W
200 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS12100UW
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: onsemi
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: MY
Paese di origine: MY
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 9,300 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

Transistor a bassa VCE (sat) e2PowerEdge

I transistor onsemi e2PowerEdge Low VCE(sat) sono dispositivi miniaturizzati a montaggio superficiale caratterizzati da una tensione di saturazione ultra bassa (VCE(sat)) e da un'elevata capacità di guadagno di corrente. Questi sono progettati per applicazioni di commutazione ad alta velocità e bassa tensione, dove è essenziale un controllo dell'energia efficiente e conveniente. Le applicazioni tipiche sono convertitori CC-CC e risparmio energetico in prodotti portatili e alimentati a batteria come telefoni cellulari e senza fili, PDA, computer, stampanti, fotocamere digitali e lettori MP3. Altre applicazioni sono controlli motore a bassa tensione in prodotti di archiviazione di massa come unità disco e a nastro. Possono essere utilizzati per l’installazione di airbag e per i cluster di strumenti nel settore automobilistico. L’alto guadagno di corrente consente ai dispositivi Onsemi e2PowerEdge di essere pilotati direttamente dalle uscite di controllo PMU e il guadagno lineare (Beta) li rende i componenti ideali negli amplificatori analogici.

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

Family of Vce(sat) BJT devices feature low-saturation voltage and high-current gain.