Diodi a recupero rapido RFUH25NS3S

I diodi a recupero rapido RFUH25NS3S   di ROHM Semiconductor presentano una perdita di commutazione ultrabassa e un’elevata capacità di sovraccarico di corrente. Questi diodi a recupero includono una struttura di tipo planare epitassiale in silicio. I diodi di recupero RFUH25NS3S offrono tensione inversa di picco ripetitiva 350 V, corrente inversa di 10μA e picco di sovratensione diretta 100 A. Questi diodi di recupero operano a una tensione diretta massima di 1,45 V e sono conservati in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C. I diodi a recupero ultrarapido RFUH25NS3S sono ideali per l’uso nel raddrizzamento generale.