MOSFET al carburo di silicio (SiC) SICWx

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) SICWx di Micro Commercial Components (MCC) sono MOSFET SiC da 650 V ad altà velocità di commutazione. Questi MOSFET utilizzano la tecnologia MOSFET SiC e sono particolarmente adatti per applicazioni ad alta tensione, garantendo un funzionamento affidabile in ambienti industriali difficili. I MOSFET SICWx sono progettati con basso RDS (on) e bassa carica del gate per ridurre le perdite di commutazione e contribuire a una maggiore efficienza complessiva del sistema. Il design che aumenta l’efficienza e il package TO-247 offrono prestazioni termiche superiori, mentre le opzioni a 3 o 4 pin (pin Kelvin-source) migliorano la versatilità. I MOSFET SICWx sono realizzati con un design robusto e sono in grado di consentire una migliore gestione termica ed efficienza. Questi MOSFET sono ideali per alimentatori, telecomunicazioni, sistemi di energia rinnovabile e unità di azionamento motori.

Risultati: 6
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Scheda dati
360A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Scheda dati
177A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Scheda dati
336A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Scheda dati
355A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Scheda dati
337A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Scheda dati
360A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement