SIA469DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIA469DJ-T1-GE3
SIA469DJ-T1-GE3

Produttore:

Descrizione:
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Modello ECAD:
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Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™
0,507 € 0,51 €
0,314 € 3,14 €
0,201 € 20,10 €
0,151 € 75,50 €
0,134 € 134,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
0,115 € 345,00 €
0,105 € 630,00 €
0,09 € 810,00 €
0,088 € 2.112,00 €
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso.

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
30 V
12 A
21 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
15.6 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Vishay Semiconductors
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 15 ns
Transconduttanza diretta - Min: 15 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 17 ns
Serie: SIA
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 30 ns
Tipico ritardo di accensione: 7 ns
Peso unità: 45,597 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET provides low on-resistance in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The SiA469DJ MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is RoHS compliant and halogen free. Typical applications include load switches, DC/DC converters, high-speed switching, and power management in battery-operated, mobile, and wearable devices.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.