NVMFWS003N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS003N10MCT1G
NVMFWS003N10MCT1G

Produttore:

Descrizione:
MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 3.1mohm, 169A

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
100 V
169 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
62 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 14 ns
Transconduttanza diretta - Min: 150 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 15 ns
Serie: NVMFWS003N10MC
Quantità colli di fabbrica: 1500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 46 ns
Tipico ritardo di accensione: 28 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFWS003N10MC

I MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFWS003N10MC di onsemi offrono una corrente di drain continua di 169 A, 3,1 mΩ a 10V RDS (ON) e tensione drain-source 100 V. L’NVMFWS002N10MCL è disponibile in un package con conduttori piatti da 5 mm x 6 mm sviluppato per progetti compatti ed efficienti. Il MOSFET qualificato AEC-Q101 onsemi è compatibile con PPAP e ideale per applicazioni del settore automotive.